Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Abstract/Poster in atti di convegno (Classe)

Label

• Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Poggi A, Moscatelli F, Scorzoni A, Marino G, Nipoti R, Sanmartin M (2005)
  Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient
  in ICSCRM 2005, Pittsburgh (Pennsylvania, USA)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Poggi A, Moscatelli F, Scorzoni A, Marino G, Nipoti R, Sanmartin M (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• Many investigations have been conducted on the growth conditions of SiO2 on SiC to improve the oxide quality and the properties of the silicon carbide-silicon dioxide interface. In this work a comparison between a wet oxidation and an oxidation in N2O ambient diluted in N2 is proposed. The interface state density Dit near the conduction-band edge of SiC has been evaluated by conventional C-V measurements obtaining results similar or better than the literature data. Furthermore, the slow trapping phenomena have been studied and preliminary results are reported. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• International Conferenc on Silicon Carbide and Related Materials Pittsburgh, Pennsylvania, USA 18-23 October 2005 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• Poster presentation and abstract publication in the ICSCRM2005 Technical Digest pag. 36. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR- IMM Sezione di Bologna, via Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy DIEI and INFN, University of Perugia, via G. Duranti 93, 06125 Perugia, Italy (literal)

Titolo

• Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• ANDREA SCORZONI (Persona)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Autore CNR di

• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• ANDREA SCORZONI (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient" (Insieme di parole chiave)