Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Abstract/Poster in atti di convegno (Classe)

Label

• Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Bergamini F., Moscatelli F., Canino M.,Poggi A., Nipoti R. (2004)
  Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature
  in ECSCRM 2004, Bologna
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bergamini F., Moscatelli F., Canino M.,Poggi A., Nipoti R. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• We report on the electrical characterization of Al+ implanted p+/n 4H-SiC diodes via a planar technology. Hot implantation at 400°C and post implantation annealing at 1600°C and 1650°C in high purity Argon ambient were done for the realization of p+/n diodes. The current voltage characteristics of the p+/n diodes and the resistivity of the implanted layer were measured at room temperature. The 1600°C annealed diodes showed an almost exponential forward characteristic with ideality factor equal to 1.4, an average reverse leakage current density equal to (4.8 ± 0.1)×10-9 A/cm2 at –100 V, and a break down voltage between 600 and 900V. The 1650°C annealed diodes often had forward “excess current component” that deviates from the ideal forward exponential trend. The average reverse leakage current density was equal to (2.7 ± 0.5)×10-8 A/cm2 at –100 V, and the breakdown voltage was between 700 and 1000V, i.e. it approached the theoretical value for the epitaxial 4H-SiC layer. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM (literal)

Titolo

• Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Autore CNR

• MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Autore CNR di

• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)
• MARIA CONCETTA CANINO (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature" (Insieme di parole chiave)