Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Abstract/Poster in atti di convegno (Classe)

Label

• Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Poggi A., Moscatelli F., Hijikata Y., Solmi S., Sanmartin M., Tamarri F., Nipoti R. (2006)
  Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC
  in ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials), Newcastle upon Tyne, UK
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Poggi A., Moscatelli F., Hijikata Y., Solmi S., Sanmartin M., Tamarri F., Nipoti R. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• Aiming to minimize the interface state density, we fabricated MOS capacitors on n-type 4H-SiC by using wet oxidation of nitrogen implanted layers. We investigated a wide range of implantation dose, including a high dose able to amorphise a surface SiC layer with the intent to reduce the oxidation time. The oxide quality and the SiO2-SiC interface properties were characterized by capacitance-voltage measurements of the MOS capacitors. The proposed process, in which nitrogen is ion-implanted on SiC layer before a wet oxidation, is effective to reduce the density of interface states near the conduction band edge if a high concentration of nitrogen is introduced at the SiO2-SiC interface. We found that only the nitrogen implanted at the oxide-SiC interface reduces the interface states and we did not observe the generation of fixed positive charges in the oxide as a consequence of nitrogen implantation. Furthermore, the concentration of the slow traps evaluated from the Slow Trap Profiling technique was low and did not depend on the nitrogen implantation fluence. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM Saitama University Japan (literal)

Titolo

• Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Autore CNR di

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)