Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno)

Type

• Abstract/Poster in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Hijikata Y., Yoshida S., Moscatelli F., Poggi A., Solmi S., Cristiani S., Nipoti R. (2006)
  Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC
  in ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials), Newcastle upon Tyne, UK
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Hijikata Y., Yoshida S., Moscatelli F., Poggi A., Solmi S., Cristiani S., Nipoti R. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• 4H-SiC p-type MOS capacitors fabricated by wet oxidation of SiC preamorphized by nitrogen ion (N+) implantation have been investigated. The oxidation rate of the SiC layer preamorphized by high-dose N+ was much larger than that of crystalline SiC, allowing us to reduce the fabrication time of SiC MOS devices. We found that the presence of the surface amorphous SiC layer before the oxidation process did not influence the interface state density in MOS capacitors. On the contrary the density of interface states near the valence band edge increased according with the high concentration of the implanted N at the oxide–SiC interface,as in the case of dry oxidation reported by Ciobanu et al. The generation of positive charges due to the nitrogen embedded inside the oxide layer was smaller compared with dry oxidation. We discuss the difference between wet and dry oxidation for MOS capacitors fabricated with N+ implantation. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM Saitama University Japan (literal)

Titolo

• Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
• STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC" (Insieme di parole chiave)