MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno)

Type
Label
  • MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Poggi A, Moscatelli F, Solmi S, Hijikata Y, Nipoti R (2007)
    MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions
    in 2nd WASMPE, Olbia, Italy
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Poggi A, Moscatelli F, Solmi S, Hijikata Y, Nipoti R (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMM of Bologna, via Gobetti 101, 40129 Bologna Italy Division of Mathematics, Electronics and Information, Saitama University 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama-shi, saitama 338-8570, Japan (literal)
Titolo
  • MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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