Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Abstract/Poster in atti di convegno (Classe)

Label

• Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Moscatelli F, Nipoti R, Solmi S, Cristiani S, Sanmartin M, Poggi A (2007)
  Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation
  in ICSCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials), Otsu, Japan
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Moscatelli F, Nipoti R, Solmi S, Cristiani S, Sanmartin M, Poggi A (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• Presentazione poster (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• We report investigations on the fabrication and electrical characterization in the range 27°C -290 °C of normally off 4H-SiC circular MOSFET devices manufactured on p-type semiconductor. An high quality SiO2/SiC interface is obtained by nitrogen ion implantation conducted before the thermal oxidation of SiC. Two samples with different nitrogen concentration at the SiO2/SiC interface and one un-implanted have been manufactured. The sample with the highest N concentration at the interface presents the highest channel mobility and the lowest threshold voltage. With increasing temperature, in all the samples the threshold voltage decreases and the electron channel mobility increases, reaching the maximum value of about 40 cm2/Vs at 290 °C for the sample with the highest N concentration. The observed improvement of the mobility is related to the beneficial effect of the N presence at the SiO2/SiC interface, which leads to the reduction of the interface trap density with energy close to the conduction band. Our results demonstrate that N implantation can effectively be used to improve the electrical performance of surface n-channel 4H-SiC MOSFETs. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM of Bologna, via Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
• STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• MICHELE SANMARTIN (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation" (Insieme di parole chiave)