Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman Grown CdZnTe Crystals as X-ray Detector Material (Comunicazione a convegno)

Type
Label
  • Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman Grown CdZnTe Crystals as X-ray Detector Material (Comunicazione a convegno) (literal)
Anno
  • 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Zappettini A.; Zha M.; Marchini L.; Calestani D.; Mosca R.; Gombia E.; Zanichelli M.; Pavesi M.; Auricchio N. (2008)
    Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman Grown CdZnTe Crystals as X-ray Detector Material
    in 16th International Workshop on Room Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors, Dresden (Germany)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Zappettini A.; Zha M.; Marchini L.; Calestani D.; Mosca R.; Gombia E.; Zanichelli M.; Pavesi M.; Auricchio N. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
  • In: RTSD 2008 - 16th International Workshop on Room Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (Dresden (Germany), 19-25 Ottobre 2008). (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • In this work, the growth of CdZnTe 2-inches crystals by the Boron Oxide Vertical Bridgman Technique is reported. A thin boron oxide layer fully encapsulates the growing crystals, thus preventing a direct crystal-crucible interaction. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMEM, Parma, Dipartimento di Fisica dell'Università di Parma and CNR-IMEM, Parma, INAF/IASF-BO, Bologna and Dept. of Physics, Unvi. of Ferrara, Ferrara (literal)
Titolo
  • Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman Grown CdZnTe Crystals as X-ray Detector Material (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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