In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (Comunicazione a convegno)

Type

• Comunicazione a convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (Comunicazione a convegno) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Felici M., Polimeni A., Masia F., Trotta R., Pettinari G., Capizzi M., Salviati G., Lazzarini L., Armani N., Piccin M., Bais G., Martelli F., Rubini S., Franciosi A., and Mariucci L. (2006)
  In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors
  in 28th International conference on the Physiscs of Semiconductors, Wien, Austria
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Felici M., Polimeni A., Masia F., Trotta R., Pettinari G., Capizzi M., Salviati G., Lazzarini L., Armani N., Piccin M., Bais G., Martelli F., Rubini S., Franciosi A., and Mariucci L. (literal)

Titolo

• In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (literal)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• MARIO CAPIZZI (Unità di personale esterno)
• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• NICOLA ARMANI (Persona)
• ANTONIO POLIMENI (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• MARIO CAPIZZI (Unità di personale esterno)
• ANTONIO POLIMENI (Persona)
• NICOLA ARMANI (Persona)