Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration (Comunicazione a convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Comunicazione a convegno (Classe)

Label

• Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration (Comunicazione a convegno) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• A. Bonfiglietti, M. Cuscunà, A. Valletta, L. Mariucci, A. Pecora and G. Fortunato, S.D. Brotherton and J.R. Ayres (2003)
  Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration
  in SILICON WORKSHOP, genova
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Bonfiglietti, M. Cuscunà, A. Valletta, L. Mariucci, A. Pecora and G. Fortunato, S.D. Brotherton and J.R. Ayres (literal)

Titolo

• Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Persona)
• ALESSANDRO PECORA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Persona)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)