X-ray induced variation of the chemistry of GaAs/AlAs oxide nanostructures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• X-ray induced variation of the chemistry of GaAs/AlAs oxide nanostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.nimb.2005.12.005 (literal)

Alternative label

• Mori, G; Lazzarino, M; Ercolani, D; Biasiol, G; Locatelli, A; Sorba, L; Heun, S (2006)
  X-ray induced variation of the chemistry of GaAs/AlAs oxide nanostructures
  in Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mori, G; Lazzarino, M; Ercolani, D; Biasiol, G; Locatelli, A; Sorba, L; Heun, S (literal)

Pagina inizio

• 39 (literal)

Pagina fine

• 44 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 246 (literal)

Rivista

• Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, INFM, Lab Nazl TASC, I-34012 Trieste, Italy; Univ Studi Trieste, I-34127 Trieste, Italy; Univ Studi Modena & Reggio Emilia, I-41100 Modena, Italy; Sincrotrone Trieste Scpa, I-34012 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• X-ray induced variation of the chemistry of GaAs/AlAs oxide nanostructures (literal)

Abstract

• The variation of the surface chemical composition of nanostructures fabricated by local anodic oxidation (LAO) on epitaxial GaAs/AlAs/GaAs layered structures is investigated by means of laterally-resolved photoemission spectroscopy. Our analysis evidences the unexpected presence of Al compounds located in the topmost layers of the LAO oxide structures. We Studied the evolution of the surface chemical composition of such nanostructures as a function of X-ray exposure time (photon energy hv = 130 eV) and we found a reduction in the amount of the surface Ga oxide compounds with respect to the Al compounds. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• LUCIA SORBA (Persona)
• MARCO LAZZARINO (Persona)
• STEFAN HEUN (Persona)
• DANIELE ERCOLANI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "X-ray induced variation of the chemistry of GaAs/AlAs oxide nanostructures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• MARCO LAZZARINO (Persona)
• STEFAN HEUN (Persona)
• DANIELE ERCOLANI (Unità di personale esterno)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• LUCIA SORBA (Persona)

Prodotto

• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "X-ray induced variation of the chemistry of GaAs/AlAs oxide nanostructures" (Insieme di parole chiave)