electronic devices
- Label
- electronic devices (literal)
- Membro di
- Keywords of "Advances in selective doping of SiC via ion implantation" (Insieme di parole chiave)
- Keywords of "Silicon Carbide and Related Materials 2004" (Insieme di parole chiave)
- Parole chiave di "Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes" (Insieme di parole chiave)
- Keywords of "Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing" (Insieme di parole chiave)
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- electronic devices (literal)
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- Keywords of "Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing" (Insieme di parole chiave)
- Parole chiave di "Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes" (Insieme di parole chiave)
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