OxideMBE (MD.P03.009.004)

Type
Label
  • OxideMBE (MD.P03.009.004) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P03.009.004 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • Crescita epitassiale per molecular beam epitaxy (MBE) di film ultrasottili di ossidi con struttura perovskitica, con ordinamento magnetico, superconduttivo, ferroelettrico o multiferroico. Studio delle relative proprietà elettroniche, magnetiche e strutturali di base attraverso misure di magnetotrasporto e magnetoottica dicroica nella regione dei raggi X soffici con luce di sincrotrone. Studio dell'effetto dello strain sulle proprieta' elettroniche, mediante l'accoppiamento tra i gradi di liberta' di carica, orbitale, retticolo e spin. Sviluppo di nuovi metodi di controllo atomico della deposizione per l'analisi in situ e in tempo reale della struttura cristallografica mediante la tecnica di diffrazione elettronica in riflessione ad alta energia (RHEED). I risultati saranno utilizzati nella costruzione di dispositivi innovativi basati sul trasporto di spin, e di nuovo materiali \"artificiali\" multifunzionali basati su interfacce costriute con disegno atomico. (literal)
Nome
  • OxideMBE (literal)
Descrizione
Modulo di

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Prodotto di
data.CNR.it