Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005)

Type
Label
  • Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P06.037.005 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2018-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Abstract
  • L'attività di ricerca del modulo riguarda la preparazione per epitassia da fasci molecolari (MBE) e lo studio delle proprietà di nanostrutture a punti quantici (QD) di materiali semiconduttori basati sul sistema In(Ga)As/(In)GaAs, per applicazioni in opto-elettronica, energetica e sensoristica. Sono previste specifiche ricerche sperimentali e teoriche inerenti la crescita epitassiale di queste nanostrutture e la loro caratterizzazione ottica e strutturale. Un aspetto chiave riguarda l'ingegnerizzazione i) delle proprietà ottiche di emissione alle lunghezza d'onda di interesse opto-eletronico e ii) delle proprietà strutturali di nanostrutture a QD per un loro corretto utilizzo per finalità applicative. Obiettivi specifici includono la realizzazione e lo studio di nanostrutture a QD su strati di GaAs e di InGaAs metamorfici con emissione nella finestra opto-elettronica 1.3 – 1.55 µm e elevato controllo sulla densità superficiale di punti quantici nell'intervallo 108 – 1011 cm-2 e la progettazione e crescita di strutture a piani sovrapposti di QD. (literal)
Nome
  • Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (literal)
Descrizione
Modulo di
Gestore

Incoming links:


Prodotto di
Modulo
Istituto esecutore di
Gestore di
Descrizione di
data.CNR.it