Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001)
- Type
- Modulo (Classe)
- Label
- Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001) (literal)
- Prodotto
- Atomic layer deposition of rare-earth-based binary and ternary oxides for microelectronic applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The energy band alignment of Si nanocrystals in SiO(2) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Combining HRTEM-EELS nano-analysis with capacitance-voltage measurements to evaluate high-kappa thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistance change in memory structures integrating CuTCNQ nanowires grown on dedicated HfO(2) switching layer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Control of filament size and reduction of reset current below 10 mu A in NiO resistance switching memories (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- The effect of random copolymer on the characteristic dimensions of cylinder-forming PS-b-PMMA thin films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stability of Ag nanocrystals synthesized by ultra-low energy ion implantation in SiO(2) matrices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ab initio study of phase transition and dielectric constants of high-kappa HfO2 as a function of Ge alloying (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Electric Dipoles on Fermi Level Positioning at the Interface between Ultrathin Al2O3 Films and Differently Reconstructed In0.53Ga0.47As(001) Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 2-D Finite-Element Modeling of ZnO Schottky Diodes With Large Ideality Factors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of Thermal Treatments on the Trapping Properties of HfO2 Films for Charge Trap Memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Collective behavior of block copolymer thin films within periodic topographical structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- On the Thermal Stability of PS-b-PMMA Block and P(S-r-MMA) Random Copolymers for Nanopatterning Applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Au-catalyzed self assembly of GeTe nanowires by MOCVD (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ab initio study of magnetic properties of complexes formed by an Fe impurity and an intrinsic interstitial defect in ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistive switching characteristics of NiO films deposited on top of W or Cu pillar bottom electrodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Getting through the Nature of Silicene: An sp(2)-sp(3) Two-Dimensional Silicon Nanosheet (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Chemical nature of the passivation layer depending on the oxidizing agent in Gd(2)O(3)/GeO(2)/Ge stacks grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural and electrical properties of Er-doped HfO(2) and of its interface with Ge (001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al(2)O(3) stacks on In(0.53)Ga(0.47)As substrates: In situ investigation of the interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High permittivity materials for oxide gate stack in Ge-based metal oxide semiconductor capacitors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Dynamics of laser-induced phase switching in GeTe films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The fabrication of tunable nanoporous oxide surfaces by block copolymer lithography and atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Direct Observation at Nanoscale of Resistance Switching in NiO Layers by Conductive-Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of the oxidation temperature on the non-trigonal Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO(2) interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistive Switching in High-Density Nanodevices Fabricated by Block Copolymer Self-Assembly (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Magnetic resonance spectroscopy of defects at the dielectric-semiconductor interface: Ge substrates and Si nanowires (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Impact of post deposition annealing in the electrically active traps at the interface between Ge(001) substrates and LaGeOx films grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Codice
- MD.P05.025.001 (literal)
- Anno di chiusura previsto
- 2014-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Abstract
- I processi di auto-assemblaggio possono fornire soluzioni tecnologiche avanzate di tipo \"bottom-up\" per la realizzazione di nuovi materiali funzionali nano-strutturati con dimensioni caratteristiche sotto i 20 nm. La ricerca pertanto si concentra, da una parte, sulle problematiche fondamentali relative alla comprensione dei meccanismi di autoassemblaggio in materiali polimerici deposti in forma di film sottili e, dall'altra, sull'uso di tali materiali per la definizione di strategie innovative per la sintesi di nano-strutture funzionali. Tale obiettivo è perseguito anzitutto mediante l'uso di film sottili auto-assemblati come strumento per successivi processi di nano-fabbricazione. Tale approccio richiede necessariamente l'integrazione di questi materiali in processi convenzionali di fabbricazione di tipo \"top-down\" andando così a definire nuove tecnologie abilitanti al fine di controllare le dimensioni, la disposizione e le proprietà di materiali semiconduttori e/o dielettrici. In alternativa si prevede l'introduzione di opportune funzionalità elettroniche in tali macromolecole in modo da utilizzarle come materiali attivi in dispositivi elettronici, optoelettronici o fotovoltaici. (literal)
- Nome
- Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (literal)
- Descrizione
- Descrizione del modulo "Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001)" (Descrizione modulo)
- Descrizione collaborazioni del modulo "Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001)" (Descrizione collaborazioni)
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Materiali autoassemblanti per applicazioni nanotecnologiche (MD.P05.025.001)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Modulo di
- Gestore
- MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
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- Stability of Ag nanocrystals synthesized by ultra-low energy ion implantation in SiO(2) matrices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Impact of post deposition annealing in the electrically active traps at the interface between Ge(001) substrates and LaGeOx films grown by molecular beam deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High permittivity materials for oxide gate stack in Ge-based metal oxide semiconductor capacitors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Effect of Electric Dipoles on Fermi Level Positioning at the Interface between Ultrathin Al2O3 Films and Differently Reconstructed In0.53Ga0.47As(001) Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of Thermal Treatments on the Trapping Properties of HfO2 Films for Charge Trap Memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- 2-D Finite-Element Modeling of ZnO Schottky Diodes With Large Ideality Factors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Getting through the Nature of Silicene: An sp(2)-sp(3) Two-Dimensional Silicon Nanosheet (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistive Switching in High-Density Nanodevices Fabricated by Block Copolymer Self-Assembly (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID181374
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID181817
