Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001)
- Type
- Modulo (Classe)
- Label
- Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001) (literal)
- Prodotto
- Switching of nanosized filaments in NiO by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistive Switching in High-Density Nanodevices Fabricated by Block Copolymer Self-Assembly (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of Thermal Treatments on the Trapping Properties of HfO2 Films for Charge Trap Memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of terbium scandate films deposited by atomic layer deposition and high temperature annealing effects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low-power resistive switching in Au/NiO/Au nanowire arrays (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic layer deposition of rare-earth-based binary and ternary oxides for microelectronic applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Cubic/tetragonal phase stabilization in high-ZrO2 thin films grown using O3-based atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Formation and disruption of conductive filaments in a HfO2/TiN structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Exploiting optical near fields for phase change memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Bipolar resistive switching of Au/NiOx/Ni/Au heterostructure nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of Er-doped HfO(2) and of its interface with Ge (001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Synthesis and characterization of DyScO films deposited on Si and Si-rich SiN by atomic layer deposition for blocking layer replacement in TANOS stack (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Au-catalyzed self assembly of GeTe nanowires by MOCVD (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Resistive switching characteristics of NiO films deposited on top of W or Cu pillar bottom electrodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Dynamics of laser-induced phase switching in GeTe films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The fabrication of tunable nanoporous oxide surfaces by block copolymer lithography and atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- On the electrical properties of Si-doped InGaP layers grown by low pressure-metalorganic vapor phase epitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Combining HRTEM-EELS nano-analysis with capacitance-voltage measurements to evaluate high-kappa thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistance change in memory structures integrating CuTCNQ nanowires grown on dedicated HfO(2) switching layer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Control of filament size and reduction of reset current below 10 mu A in NiO resistance switching memories (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of Thermal Treatments on the Trapping Properties of HfO2 Films for Charge Trap Memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stack engineering of TANOS charge-trap flash memory cell using high-kappa ZrO(2) grown by ALD as charge trapping layer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evaluation of DyScO(x) as an alternative blocking dielectric in TANOS memories with Si(3)N(4) or Si-rich SiN charge trapping layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of Electric Dipoles on Fermi Level Positioning at the Interface between Ultrathin Al2O3 Films and Differently Reconstructed In0.53Ga0.47As(001) Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Scaling size of the interplay between quantum confinement and surface related effects in nanostructured silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al(2)O(3) stacks on In(0.53)Ga(0.47)As substrates: In situ investigation of the interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- 2-D Finite-Element Modeling of ZnO Schottky Diodes With Large Ideality Factors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Direct Observation at Nanoscale of Resistance Switching in NiO Layers by Conductive-Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reset Instability in Pulsed-Operated Unipolar Resistive-Switching Random Access Memory Devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Rapid thermal processing of self-assembling block copolymer thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reset current reduction and set-reset instabilities in unipolar NiO RRAM (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Preface to E-MRS 2012 Symposium L: Novel Functional Materials and Nanostructures for innovative non-volatile memory devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Experimental and simulation study of the program efficiency of HfO 2 based charge trapping memories (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Resistive switching in NiO based nanowire array for low power RERAM (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Codice
- MD.P05.024.001 (literal)
- Anno di chiusura previsto
- 2017-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Abstract
- L'attività della commessa è indirizzata allo sviluppo e caratterizzazione di materiali innovativi (ossidi ad alta costante dielettrica, ossidi di metalli di transizione, calcogenuri - sia in forma di film sottile che nanostrutturati), e alla loro integrazione in dispositivi nanoscalati con funzionalità di memoria non-volatile, memristori con funzionalità sinaptica per architetture neuromorfiche, dispositivi per applicazioni in neuroelettronica. Nel dettaglio, le attività di ricerca riguardano lo studio di materiali a film sottile e nanostrutture per dispositivi per memorie di tipo resistivo quali memorie a cambiamento di fase (PCM) e memorie basate sulla commutazione resistiva in ossidi, legata a effetti elettrotermici, chimici e ionici (ReRAM). Inoltre si studierà la commutazione resistiva in memristori con funzionalità sinaptiche per applicazioni in architetture neuromorfiche e ossidi ad alta costante dielettrica da integrare in dispositivi EOS (elettrolita-ossido-semiconduttore) e EOSFET per la stimolazione e rilevazione di segnali neuronali. Le attività citate hanno un respiro scientifico internazionale e anche un forte legame con l'industria. (literal)
- Nome
- Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (literal)
- Descrizione
- Descrizione collaborazioni del modulo "Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001)" (Descrizione collaborazioni)
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Descrizione del modulo "Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024.001)" (Descrizione modulo)
- Modulo di
- Gestore
- SABINA SPIGA (Persona)
Incoming links:
- Gestore di
- SABINA SPIGA (Persona)
- Istituto esecutore di
- Modulo
- Descrizione di
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- Prodotto di
- Exploiting optical near fields for phase change memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Reset Instability in Pulsed-Operated Unipolar Resistive-Switching Random Access Memory Devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Direct Observation at Nanoscale of Resistance Switching in NiO Layers by Conductive-Atomic Force Microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al(2)O(3) stacks on In(0.53)Ga(0.47)As substrates: In situ investigation of the interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Detection of the Tetragonal Phase in Atomic Layer Deposited La-Doped ZrO(2) Thin Films on Germanium (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of surface passivation during atomic layer deposition of Al(2)O(3) on In(0.53)Ga(0.47)As substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- The fabrication of tunable nanoporous oxide surfaces by block copolymer lithography and atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Dynamics of laser-induced phase switching in GeTe films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Resistive switching characteristics of NiO films deposited on top of W or Cu pillar bottom electrodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Au-catalyzed self assembly of GeTe nanowires by MOCVD (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electrical properties of Er-doped HfO(2) and of its interface with Ge (001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Synthesis and characterization of DyScO films deposited on Si and Si-rich SiN by atomic layer deposition for blocking layer replacement in TANOS stack (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improved Performance of In(0.53)Ga(0.47)As-Based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al:ZrO(2) Gate Dielectric Grown by Atomic Layer Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stack engineering of TANOS charge-trap flash memory cell using high-kappa ZrO(2) grown by ALD as charge trapping layer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evaluation of DyScO(x) as an alternative blocking dielectric in TANOS memories with Si(3)N(4) or Si-rich SiN charge trapping layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Combining HRTEM-EELS nano-analysis with capacitance-voltage measurements to evaluate high-kappa thin films deposited on Si and Ge as candidate for future gate dielectrics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistance change in memory structures integrating CuTCNQ nanowires grown on dedicated HfO(2) switching layer (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Control of filament size and reduction of reset current below 10 mu A in NiO resistance switching memories (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of Thermal Treatments on the Trapping Properties of HfO2 Films for Charge Trap Memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Charge dynamics of a single donor coupled to a few-electron quantum dot in silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of Electric Dipoles on Fermi Level Positioning at the Interface between Ultrathin Al2O3 Films and Differently Reconstructed In0.53Ga0.47As(001) Surfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of Thermal Treatments on the Trapping Properties of HfO2 Films for Charge Trap Memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- On the electrical properties of Si-doped InGaP layers grown by low pressure-metalorganic vapor phase epitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic Layer Deposition of Al-Doped ZrO2 Thin Films as Gate Dielectric for In0.53Ga0.47As (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 2-D Finite-Element Modeling of ZnO Schottky Diodes With Large Ideality Factors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic layer deposition of rare-earth-based binary and ternary oxides for microelectronic applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low-power resistive switching in Au/NiO/Au nanowire arrays (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Scaling size of the interplay between quantum confinement and surface related effects in nanostructured silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Cubic/tetragonal phase stabilization in high-ZrO2 thin films grown using O3-based atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Bipolar resistive switching of Au/NiOx/Ni/Au heterostructure nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Rapid thermal processing of self-assembling block copolymer thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Formation and disruption of conductive filaments in a HfO2/TiN structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural and electrical properties of terbium scandate films deposited by atomic layer deposition and high temperature annealing effects (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Resistive Switching in High-Density Nanodevices Fabricated by Block Copolymer Self-Assembly (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Switching of nanosized filaments in NiO by conductive atomic force microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistive switching in NiO based nanowire array for low power RERAM (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Experimental and simulation study of the program efficiency of HfO 2 based charge trapping memories (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Reset current reduction and set-reset instabilities in unipolar NiO RRAM (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Preface to E-MRS 2012 Symposium L: Novel Functional Materials and Nanostructures for innovative non-volatile memory devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
