Materiali per dispositivi innovativi elettronici, fotonici e fotovoltaici basati su silicio (MD.P05.006.003)
- Type
- Modulo (Classe)
- Label
- Materiali per dispositivi innovativi elettronici, fotonici e fotovoltaici basati su silicio (MD.P05.006.003) (literal)
- Prodotto
- Nucleation and grain growth in as deposited and ion implanted GeTe thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- The role of the surfaces in the photon absorption in Ge nanoclusters embedded in silica (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of hydrogen implantation temperature on InP surface blistering (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Erbium-oxygen interactions in crystalline silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fluorine effect on As diffusion in Ge (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Formation and evolution of self-organized Au nanorings on indium-tin-oxide surface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- He induced nanovoids for point-defect engineering in B-implanted crystalline Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nanoscale amorphization, bending and recrystallization in silicon nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion implantation damage and crystalline-amorphous transition in Ge (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Tuning the Crystallization Temperature of Amorphous Ge2Sb2Te5 by O and Si Recoil Implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Mechanism of B diffusion in crystalline Ge under proton irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on Ge quantum dots (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Codice
- MD.P05.006.003 (literal)
- Anno di chiusura previsto
- 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Abstract
- La continua miniaturizzazione dei dispositivi elettronici basati su Si pone grandi sfide scientifiche. Infatti, la riduzione delle dimensioni e l'aumento della densità dei dispositivi, determina un incremento delle lunghezze tipiche delle interconnessioni, generando un ritardo crescente nella propagazione dei segnali. Inoltre, il trend verso dimensioni nanometriche dei dispositivi pone problematiche assolutamente nuove legate ad effetti quantistici e ad una maggiore interazione drogante-drogante e drogante-difetti. Infine la sfida energetica richiede celle solari più efficienti ed a basso costo attraverso l'uso delle nanotecnologie. La presente ricerca intende trovare soluzioni innovative attraverso un controllo su scala atomica dei materiali ed una ingegneria dei difetti e delle impurezze. In particolare, verranno investigati i meccanismi di emissione, trasporto, assorbimento e controllo di luce in Si. Verranno inoltre studiati i meccanismi atomici di interazione tra droganti, difetti ed impurezze in Si, in Ge ed in eterostrutture a base di Si e di Ge al fine di realizzare materiali per le future generazioni di CMOS ultrascalati ed ultraveloci, e di celle solari. (literal)
- Nome
- Materiali per dispositivi innovativi elettronici, fotonici e fotovoltaici basati su silicio (literal)
- Descrizione
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Materiali per dispositivi innovativi elettronici, fotonici e fotovoltaici basati su silicio (MD.P05.006.003)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Descrizione del modulo "Materiali per dispositivi innovativi elettronici, fotonici e fotovoltaici basati su silicio (MD.P05.006.003)" (Descrizione modulo)
- Descrizione collaborazioni del modulo "Materiali per dispositivi innovativi elettronici, fotonici e fotovoltaici basati su silicio (MD.P05.006.003)" (Descrizione collaborazioni)
- Modulo di
- Gestore
- FABIO SANTO IACONA (Persona)
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- Gestore di
- FABIO SANTO IACONA (Persona)
- Prodotto di
- Effects of hydrogen implantation temperature on InP surface blistering (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Erbium-oxygen interactions in crystalline silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nucleation and grain growth in as deposited and ion implanted GeTe thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fluorine effect on As diffusion in Ge (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- The role of the surfaces in the photon absorption in Ge nanoclusters embedded in silica (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on Ge quantum dots (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Tuning the Crystallization Temperature of Amorphous Ge2Sb2Te5 by O and Si Recoil Implantation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Formation and evolution of self-organized Au nanorings on indium-tin-oxide surface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nanoscale amorphization, bending and recrystallization in silicon nanowires (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ion implantation damage and crystalline-amorphous transition in Ge (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- He induced nanovoids for point-defect engineering in B-implanted crystalline Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Mechanism of B diffusion in crystalline Ge under proton irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID174596