Nuovi Dispositivi di Silicio Oltre il CMOS Scaling (MD.P05.023.001)

Type
Label
  • Nuovi Dispositivi di Silicio Oltre il CMOS Scaling (MD.P05.023.001) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P05.023.001 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2018-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Abstract
  • L'attività riguarda principalmente lo studio di meccanismi fisici di funzionamento di dispositivi innovativi di silicio per fotovoltaico, transistor di potenza, e memorie non volatili embedded. In alcuni casi il loro funzionamento sarà valutato anche per quanto concerne la radiation hardness. Lo studio sarà orientato solo a specifici dispositivi quali: nuove tecnologie per celle fotovoltaiche di silicio e silicio amorfo idrogenato, con particolare attenzione all'uso di eterogiunzioni nanostrutture di silicio, e strutture platoniche; Saranno studiate applicazioni di queste tecnologie al campo del water splitting / elettrolisi; studio di tecniche di analisi ottiche di calcoli renali basate su tecniche di spettroscopia ottica; affidabilità di dielettrici di gate per transistor di potenza innovativi in SiC o in Si con nuove architetture; memorie non volatili a semiconduttore di tipo resistive switching. Le attività suddette verranno effettuate da personale CNR e con l'ausilio di personale esterno. (literal)
Nome
  • Nuovi Dispositivi di Silicio Oltre il CMOS Scaling (literal)
Descrizione
Modulo di
Gestore

Incoming links:


Prodotto di
Istituto esecutore di
Modulo
Gestore di
Descrizione di
data.CNR.it