Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.002)

Type
Label
  • Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.002) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P06.028.002 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2018-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • L'attività è dedicata allo studio di nanodispositivi per fotonica ed elettronica applicata. I diversi filoni di ricerca si basano principalmente sulla sintesi di due differenti classi di semiconduttori composti: GaAs e composti Nitruri, e sulla sintesi di materiali dielettrici e/o piezoelettrici (ossidi e nitruri) L'attività GaAs-based verte su tre filoni principali di ricerca: • Dispositivi a Quantum Dot di InGaAs/GaAs, (laser in-plane e VCSELs, IB solar cell) • Strutture a cristallo fotonico: attivi (microcavità), passivi, ed a struttura ibrida (GaAs/organico e/o nanoparticelle), • Micro e nanosistemi basati su rilascio di strain per sensoristica ed applicazioni MEOMS L'attività sui materiali large gap verte sui seguenti filoni di ricerca: • Dispositivi ad alta velocità per elettronica di potenza (HEMT) per applicazioni spaziali • Dispositivi RF per applicazioni sensoristiche, ad architettura BAW e FBAR e SAW • MEMS e GaN-based detector per applicazioni automotive e biosensoristica, basati su strutture FET e/o SAW • Strutture a cristallo fotonico per applicazioni in ottica non lineare nanostrutture 3D metalliche per nanodispositivi ottici avanzati (literal)
Nome
  • Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (literal)
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