MD.P06.019.001 Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (MD.P06.019.002)

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  • MD.P06.019.001 Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (MD.P06.019.002) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P06.019.002 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • Le attività di ricerca della commessa hanno come obiettivo principale lo sviluppo di qubits basati su spin e/o carica dovuti ad impurezze (droganti o difetti profondi) in silicio. In particolare l'attività si concentra sullo studio, in condizioni di basse temperature ed alti campi magnetici, del trasporto di carica, anche dipendente dallo spin, della dipendenza dell'interazione iperfine da campi elettrici, in nanostrutture (fili e punti quantici) di silicio. Gli sviluppi di sistemi innovativi di rivelazione della risonanza di spin elettronico sono motivati dalla necessità di rivelare e manipolare il singolo spin, ma trovano anche applicazioni metrologiche avanzate per lo studio di nanostrutture. Lo sviluppo di micro- e nano-rings e di antenne on-chip fa parte della stessa linea di ricerca. Le nanostrutture studiate provengono da collaborazioni con laboratori accademici e industriali o sono realizzate in MDM mediante tecniche litografiche o processi bottom-up. Lo studio del magnetismo in alcuni semiconduttori impiegabili per l'iniezione in silicio di spin polarizzati completa le attivita. E' proseguita l'attività di caratterizzazione di molecole e complessi nanoparticelle-molecole. (literal)
Nome
  • MD.P06.019.001 Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (literal)
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