MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002)
- Type
- Modulo (Classe)
- Label
- MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (literal)
- Prodotto
- Material Perspectives for Phase Change Memories: The Role of Chemical Composition, Deposition Method, and Interfaces on the Thermal Properties of the Chalcogenide Material and of its Interfaces (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Bipolar Resistive Electrical Switching of CuTCNQ Memories Incorporating a Dedicated Switching Layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Microdomain orientation dependence on thickness in thin films of cylinder-forming PS-b-PMMA. (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Magnetic map of Mn-based thin films on Ni/Cu (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Interface analysis of Ge ultra thin layers intercalated between GaAs substrates and oxide stacks (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Rare earth-based high-k materials for non-volatile memory applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and Electrical Properties of ALD Deposited Er-HfO2 for Gate Dielectric (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Si nanocrystal synthesis in HfO2/SiO/HfO2 multilayer structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- MOCVD Growth of Ge-Sb-Te Nanowires by the VLS Process (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Influence of the oxidizing species on the Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO2 interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- From Sub-micrometric to Nanometric Electrical Investigation of Resistance Switching Operations in NiO Films Dedicated to Resistive RAM Applications (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electron Spin Resonance Characterization of Silicon Nanowires (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- CVD synthesis of polycrystalline magnetite thin films: structural, magnetic and magnetotransport properties (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Paramagnetism in Mn/Fe implanted ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- LaHfOx Films Analyses for NVM Applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- O-3-based atomic layer deposition of hexagonal La2O3 films on Si(100) and Ge(100) substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stack Engineering of HfO2-based Charge Trapping Non-volatile Memory (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Evolution of Interface Properties During Atomic Layer Deposition of Rare Earth-based High-k Dielectrics on Si, Ge and III-V Substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Codice
- MD.P05.007.002 (literal)
- Anno di chiusura previsto
- 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Primo anno di attività
- 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Abstract
- Le attività di ricerca della commessa hanno come obiettivi principali lo sviluppo di materiali, processi e dispositivi con funzionalità logiche e di memoria ultrascalati. Tali dispositivi innovativi sono sia basati su CMOS, sia su concetti di memoria non volatile che sfruttano diversi fenomeni fisico-chimici quali il cambiamento di fase in materiali calcogenuri, la commutazione resistiva in ossidi, e le proprietà elettroniche dei nanocristalli di metalli e semiconduttori in matrici isolanti. Le competenze acquisite sui processi, i materiali e la loro caratterizzazione hanno aperto anche attività che si pongono come obiettivo la realizzazione di dispositivi emergenti ed innovativi per l'elettronica di spin (spintronica), quali giunzioni tunnel ferromagnetiche basate su ossidi, metalli e semimetalli, la nanoelettronica e spintronica a singolo atomo, e la neuroelettronica (dispositivi Elettrolita-Ossido-Semiconduttore per l'eccitazione capacitiva di neuroni anche in microstrutture di silicio per impiantazione diretta nel cervello di cavie). (literal)
- Nome
- MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (literal)
- Descrizione
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Descrizione del modulo "MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002)" (Descrizione modulo)
- Descrizione collaborazioni del modulo "MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002)" (Descrizione collaborazioni)
- Modulo di
- Gestore
- MARCO FANCIULLI (Persona)
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- Prodotto di
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- LaHfOx Films Analyses for NVM Applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
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- Electron Spin Resonance Characterization of Silicon Nanowires (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
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- Microdomain orientation dependence on thickness in thin films of cylinder-forming PS-b-PMMA. (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- O-3-based atomic layer deposition of hexagonal La2O3 films on Si(100) and Ge(100) substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Rare earth-based high-k materials for non-volatile memory applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of the oxidizing species on the Ge dangling bonds at the (100)Ge/GeO2 interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Magnetic map of Mn-based thin films on Ni/Cu (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Bipolar Resistive Electrical Switching of CuTCNQ Memories Incorporating a Dedicated Switching Layer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID181398
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID36653
- Modulo
- Istituto esecutore di
- Gestore di
- MARCO FANCIULLI (Persona)
- Descrizione di
- Descrizione del modulo "MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002)" (Descrizione modulo)
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- Descrizione collaborazioni del modulo "MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002)" (Descrizione collaborazioni)