http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID7972

MD.P04.012.001 Materiali funzionali e dispositivi (MD.P04.012.003)

Type

Modulo (Classe)

Label

MD.P04.012.001 Materiali funzionali e dispositivi (MD.P04.012.003) (literal)

Prodotto

Interband and intraband effects in the upper critical field of disordered MgB2 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
Multi-gap superconductivity in a BaFe1.84Co0.16As2 film from optical measurements at terahertz frequencies (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
Multiband conductivity and a multigap superconducting phase in V3Si films from optical measurements at terahertz frequencies (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
Band alignment at Cu2O/La0.7Sr0.3MnO3 interface: A combined experimental-theoretical determination (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
Strain response of La0.7Sr0.3CoO3 epitaxial thin films probed by SrTiO3 crystalline microcantilevers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
T-c=21 K in epitaxial FeSe0.5Te0.5 thin films with biaxial compressive strain (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
Conducting interfaces between band insulating oxides: The LaGaO3/SrTiO3 heterostructure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
Isoelectronic Ru substitution at the iron site in SmFe(1-x)RuxAsO(0.85)F(0.15) and its effects on structural, superconducting, and normal-state properties (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
Cu2O as a nonmagnetic semiconductor for spin transport in crystalline oxide electronics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
Architettura ISTI per il progetto INTEROMICS (Rapporti tecnici/preprint/working paper) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1730)

Codice

MD.P04.012.003 (literal)

Anno di chiusura previsto

2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Istituto esecutore

Institute for superconductors, oxides and other innovative materials and devices (SPIN) (Istituto)

Primo anno di attività

2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Abstract

L' interesse di tipo fondamentale e le potenzialità applicative degli ossidi dei metalli di transizione rendono questo campo di ricerca uno dei più promettenti a livello internazionale. L'attività si concentra sulla elettronica degli ossidi e sullo studio e lo sviluppo di materiali con proprietà funzionali innovative, in particolare ossidi superconduttori, semiconduttori e materiali a magnetoresistenza colossale. Sono sviluppate tecniche di nanolitografia che consentano la realizzazione di dispositivi innovativi su scala nanometrica. (literal)

Nome