Studi teorici a livello atomico e subnanometrico di difetti e complessi in semiconduttori (MD.P06.004.002)

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  • Studi teorici a livello atomico e subnanometrico di difetti e complessi in semiconduttori (MD.P06.004.002) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P06.004.002 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Abstract
  • Le attività di ricerca stanno proseguendo in diversi filoni, tutti riconducibili ad una stessa matrice tematica relativa allo studio dei difetti in materiali semiconduttori, in pieno accordo con il progetto generale di ricerca del modulo. Un primo filone di ricerca riguarda gli effetti prodotti da idrogeno atomico sulle proprietà elettroniche di leghe III-V a base azoto. Un secondo filone di ricerca riguarda il biossido di titanio, in particolare, gli effetti prodotti da difetti nativi sulle proprietà fotocatalitiche di questo semiconduttore a larga gap. In un terzo filone di ricerca, prosegue lo studio dell'interazione molecola-superficie in sistemi ibridi molecola organica-semiconduttore inorganico con l'obiettivo di individuare sistemi fortemente accoppiati corrispondenti a nuovi materiali funzionali. Infine, in un quarto filone di ricerca, sono in corso indagini su impurezze magnetiche in materiali semiconduttori III-V ed in ossidi metallici. In questo caso vengono investigate le proprietà delle impurezze viste come difetti ma anche le loro interazioni con i difetti nativi. (literal)
Nome
  • Studi teorici a livello atomico e subnanometrico di difetti e complessi in semiconduttori (literal)
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