Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003)

Type
Label
  • Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P05.003.003 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • Questo modulo è dedicato al progetto, alla costruzione ed alla caratterizzazione di dispositivi di potenza in Carburo di Silicio (SiC). In particolare, si costruiranno diodi di potenza a giunzione pn e transistori MOSFET a canale n superficiale. La costruzione di questi dispositivi discreti è un'utile premessa per arrivare ad affrontare le difficoltà di costruzione di un'elettronica integrata di potenza in SiC. Saranno, inoltre, approfonditi gli aspetti chimico fisici legati alla buona riuscita dei processi tecnologici scelti per la costruzione dei dispositivi stessi. L'attività del modulo si coordina con le esperienze e competenze maturate in altri moduli (dispositivi Schottky in SiC, high k dilectrics, dispositivi nanostrutturati, naocaratterizzazioni, processing avanzato). (literal)
Nome
  • Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (literal)
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Modulo di
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