Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003)
- Type
- Modulo (Classe)
- Label
- Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (literal)
- Prodotto
- Preparation of Ni2Si contacts: effect on SiC diode operation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Structure and energy of the 90 degrees partial dislocations in Wurtzite-GaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Development of radiation tolerant semiconductor detectors for the Super-LHC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Surface corrugation and stacking misorientation in multilayers of graphene on Nickel (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Numerical analysis of thinned silicon detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Numerical simulation of radiation damage effects in p-type silicon detectors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Advances in selective doping of SiC via ion implantation (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Comprehensive Device Simulation Modelling of Heavily Irradiated Silicon Detectors at Cryogenic Temperatures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p(+)n junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Numerical simulation of radiation damage effects in p-type and n-type FZ silicon detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Radiation hardness after very high neutron irradiation of minimum ionizing particle detectors based on 4H-SiC p(+)n junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Silicon Carbide and Related Materials 2004 (Curatela) (Prodotto della ricerca)
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Measurements of Charge Collection Efficiency of p+/n Junction SiC Detectors (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Minimum ionizing particle detector based on p+n junction SiC diode (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Competition between Oxidation and Recrystallization in Ion Amorphized (0001) 6H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Codice
- MD.P05.003.003 (literal)
- Anno di chiusura previsto
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Primo anno di attività
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Abstract
- Questo modulo è dedicato al progetto, alla costruzione ed alla caratterizzazione di dispositivi di potenza in Carburo di Silicio (SiC). In particolare, si costruiranno diodi di potenza a giunzione pn e transistori MOSFET a canale n superficiale. La costruzione di questi dispositivi discreti è un'utile premessa per arrivare ad affrontare le difficoltà di costruzione di un'elettronica integrata di potenza in SiC. Saranno, inoltre, approfonditi gli aspetti chimico fisici legati alla buona riuscita dei processi tecnologici scelti per la costruzione dei dispositivi stessi. L'attività del modulo si coordina con le esperienze e competenze maturate in altri moduli (dispositivi Schottky in SiC, high k dilectrics, dispositivi nanostrutturati, naocaratterizzazioni, processing avanzato). (literal)
- Nome
- Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (literal)
- Descrizione
- Descrizione collaborazioni del modulo "Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003)" (Descrizione collaborazioni)
- Descrizione del modulo "Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003)" (Descrizione modulo)
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Modulo di
- Gestore
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
Incoming links:
- Prodotto di
- Ion Implanted p+/n 4H-SiC Junctions: effect of the Heating Rate during Post Implantation Annealing (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Radiation hardness after very high neutron irradiation of minimum ionizing particle detectors based on 4H-SiC p(+)n junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Numerical simulation of radiation damage effects in p-type and n-type FZ silicon detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p(+)n junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Numerical simulation of radiation damage effects in p-type silicon detectors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Numerical analysis of thinned silicon detectors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structure and energy of the 90 degrees partial dislocations in Wurtzite-GaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Correlation between current transport and defects in n+/p 6H-SiC diodes (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Current analysis of ion implanted p+/n 4H-SiC junctions: post-implantation annealing in Ar ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Electrical properties of Al203/4H-SiC structures grown by atomic layer chemicl vapor deposition (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Phosphorus ion implantation in SiC: recovery of the implantation damage by low temperature annealing (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Analysis of the Electrical Activation of P+ Implanted Layers as a Function of the Heating Rate of the Annealing Process (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Minimum ionizing particle detector based on p+n junction SiC diode (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- n+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion Implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Measurements of Charge Collection Efficiency of p+/n Junction SiC Detectors (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Preparation of Ni2Si contacts: effect on SiC diode operation (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions (Abstract/Poster in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1302)
- Ar Annealing at 1600°C and 1650°C of Al+ Implanted p+/n 4H-SiC Diodes: Analysis of the J-V characteristics versus annealing temperature (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Competition between Oxidation and Recrystallization in Ion Amorphized (0001) 6H-SiC (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer (Abstract/Poster in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Comunicazione a convegno) (Prodotto della ricerca)
- Advances in selective doping of SiC via ion implantation (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
- Diodi Schottky di potenza (600 V / 4-8 A) in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Processo di ossidazione di semiconduttori in carburo di silicio (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Silicon Carbide and Related Materials 2004 (Curatela) (Prodotto della ricerca)
- Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Effects of heating ramp rates on the characteristics of AI implanted 4H-SiC junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Comprehensive Device Simulation Modelling of Heavily Irradiated Silicon Detectors at Cryogenic Temperatures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Development of radiation tolerant semiconductor detectors for the Super-LHC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Surface corrugation and stacking misorientation in multilayers of graphene on Nickel (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID65411
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID65407
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID180779
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID65410
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID65656
- Istituto esecutore di
- Modulo
- Gestore di
- ROBERTA NIPOTI (Persona)
- Descrizione di
- Descrizione del modulo "Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003)" (Descrizione modulo)
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Descrizione collaborazioni del modulo "Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003)" (Descrizione collaborazioni)