Sintesi e caratterizzazione di materiali nanostrutturati a base di C e Si per applicazioni in sensoristica e nanoelettronica (MD.P05.017.001)

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  • Sintesi e caratterizzazione di materiali nanostrutturati a base di C e Si per applicazioni in sensoristica e nanoelettronica (MD.P05.017.001) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P05.017.001 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2017-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • Questo modulo raggruppa le attività di studio di CNTs, grafene, nanofili e nanosuperfici di Si che hanno lo scopo di realizzare dispositivi elettronici, sfruttando le tecnologie e la capacità di progettare e realizzare MEMS e NEMS per applicazioni sensoristiche, nanoelettroniche ed energetiche disponibili presso IMM-BO: 1. Studio della sintesi selettiva di CNTs e G su larga area, mediante C-CVD su substrati di vario tipo. 2. Riduzione termica di foglietti di ossido di G di dimensione controllata. 3. Caratterizzazione di CNTs in diverse configurazioni geometriche e G mediante SEM, HRTEM, XRD, Raman e misure di emissione di campo di elettroni. 4. Realizzazione di dispositivi elettronici, sensori fisici e biosensori a base di CNTs o di grafene, sfruttando la tecnologia ibrida Si-C e le competenze di microlavorazione del Si disponibili presso IMM-Bo. 5. Sviluppo di tecniche e strutture test innovative per la caratterizzazione strutturale, elettrica e termoelettrica necessaria allo studio delle nanostrutture e delle interfacce di contatto nei dispositivi realizzati. 6. Realizzazione di nano superfici e nanofili di Si con tecnologia innovativa di crescita templata messa a punto nel 2010 (literal)
Nome
  • Sintesi e caratterizzazione di materiali nanostrutturati a base di C e Si per applicazioni in sensoristica e nanoelettronica (literal)
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