TRASPORTO IN MOS SCALATI E NUOVE STRUTTURE (MD.P05.008.001)

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Label
  • TRASPORTO IN MOS SCALATI E NUOVE STRUTTURE (MD.P05.008.001) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P05.008.001 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • L'attività riguarda alcuni approcci per superare i limiti di scaling dei CMOS avanzati. Poichè uno dei limiti principali è lo scaling dei dielettrici di gate, un denominatore comune è uno studio accurato dei limiti affidabilistici. Gli approcci che verranno studiati sono: - Architetture di memoria FINFLASH basate sulla strutture FINFET, per i nodi tecnologici oltre il 28 nm; tecniche analitiche specifiche; design delle celle; valutazione elettrica ed affidabilistica, per individuare tecniche di programmazione / cancellazione con canali ultra-corti. Strutture tipo corss-bar per memorie tipo resistive switching - Auto assemblamento di strati di co-polimeri a due blocchi per nanolitografia a basso costo adatta a definire stutture di pochi nanometri; applicazioni della nuova metodologia a vari sistemi. - Memorie NROM o a nanocristalli, per lo scaling delle FLASH: affidabilità dei dielettrici di tunnel e di controllo e su nuovi dielettrici ad alto k; robustezza all'esposizione a radiazione ionizzante. - Studio dell'affidabilità di stack di gate con gate metallici e dielettrici ad alto k. Le attività suddette verranno effettuate da personale CNR e con l'ausilio di personale esterno. (literal)
Nome
  • TRASPORTO IN MOS SCALATI E NUOVE STRUTTURE (literal)
Descrizione
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