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Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001)
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- Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (literal)
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- Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- First Principles Investigation on the Modifications of the 4H-SiC Band Structure Due to the (4,4) and (3,5) Stacking Faults (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si using Trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electronic transport signatures of common defects in irradiated graphene-based systems (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
- Process for manufacturing a schottky contact on a semiconductor substrate (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- A kinetic Monte Carlo method on super-lattices for the study of the defect formation in the growth of close packed structures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress fields analysis in 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of morphological surface instabilities during misoriented epitaxial growth of cubic and hexagonal polytypes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Stress evaluation on hetero-epitaxial 3C-SiC film on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 3C-SiC hetero-epitaxial films for sensor fabrication (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Epitaxial layers grown with HCl addition: A comparison with the standard process (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC growth rockets with hydrogen chloride addition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A new position sensitive anode for plasmas diagnostic (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Post-growth process effect on hetero-epitxial 3C-SiC wafer bow and residual stress (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of Al ion implantation on 3C-SiC crystal structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Fast growth rate epitaxy by chloride precursors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Micro-Raman analysis of a micromachined 3C-SiC cantilever (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Simulation and exerimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Annealing Effects on Leakage Current and Epilayer Doping Concentration of p+n Junction 4H-SiC Diodes after Very High Neutron Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Mo interlayer on thermal stability of polycrystalline NiSi thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optical and electrical properties of 4H-SiC epitaxial layer grown with HCl addition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Realizzazzione di micro-strutture per la determinazione dello stress nell'etero-epitassia 3C-SiC/Si (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- 3C-SiC growth on (001) Si substrates by using a multilayer buffer (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of the connection between stacking faults evolution and step kinetics in misoriented 4H-SiC epitaxial growths (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Kinetic Monte Carlo simulations for transient thermal fields: Computational methodology and application to the submicrosecond laser processes in implanted silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Large area optical characterization of 3 and 4 inches 4H-SiC wafers (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Strain field analysis of 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman and theoretical modelling (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High Quality Single Crystal 3C-SiC(111) Films Grown on Si(111) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermal oxidation of Si (001) single crystal implanted with Ge ions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- 3C-SiC heteroepitaxial growth on Inverted Silicon Pyramids (ISP) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Surface Plasmon Resonance Imaging technique for nucleic acid detection (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Carbonization Study of Different Silicon Orientations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical properties of high energy ion irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optimisation of Epitaxial Layer Growth with HCl Addition by Optical and Electrical Characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of very high neutron fluence irradiation on p+n junction 4H-SiC diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of ab initio quantum transport calculations (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Environment influence on Ti diffusion and layer degradation of a SiC/Ni2Si/TiW/Au contact structure (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Enthalpy based modeling of pulsed excimer laser annealing for process simulation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Anomalous transport of Sb in laser irradiated Ge (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Silane overpressure post-implant annealing of Al dopants in SiC: Cold wall CVD apparatus (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Semiconductor substrate suitable for the realisation of electronic and/ or optoelectronic devices and relative manufacturing process (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Temperature dependence of the c-axis drift mobility in 4H-SIC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Point defect production efficiency in ion irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Processo di crescita etero-epitassiale di SiC mediante precursori innovativi (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Thin SiC-4H epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS) as silicon precursor with very abrupt junctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical monte carlo study of the formation and evolution of defects in the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thin crystalline 3C-SiC layer growth through carbonization of differently oriented Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- 4H SiC epitaxial growth with chlorine addition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p(+)n junctions (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Correlation between macroscopic and microscopic stress fields: Application to the 3C-SiC/Si heteroepitaxy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress fields analysis in 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman spectroscopy (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of microstructure deflections and film/substrate curvature under generalized stress fields and mechanical properties (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Extended characterization of the stress fields in the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on silicon for sensors and device applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nanoisland shape relaxation mechanism (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High quality 3C-SiC for MOS applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Advanced residual stress analysis on the heteroepitaxial growth of 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Heteroepitaxy of 3C-SiC on different on-axis oriented silicon substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte Carlo study of the step flow to island nucleation transition for close packed structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Silicon carbide for UV, alpha, beta and X-ray detectors: results and perspectives (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Strain evaluation and fracture properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared membrane (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Defect formation and evolution in the step-flow growth of silicon carbide: A Monte Carlo study (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC-4H epitaxial layer growth using trichlorosilane (TCS) as silicon precursor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Silicon-Porous Silicon-Silicon (SPS) substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Raman stress characterization of hetero-epitaxial 3C-SiC free standing structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low Stress Heteroepitaxial 3C-SiC Films Characterized by Microstructure Fabrication and Finite Elements Analysis (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Advanced stress analysis by micro-structures realization on high quality hetero-epitaxial 3C-SiC for MEMS application (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optimisation of epitaxial layer growth by Schottky diodes electrical characterization (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Raman study of bulk mobility in 3C-SiC heteroepitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- A novel micro-Raman technique to detect and characterize 4H-SiC stacking faults (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Monte Carlo study of the early growth stages of 3C-SiC on misoriented < 11-20 > and < 1-100 > 6H-SiC substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- MeV ion beams generated by intense pulsed laser monitored by Silicon Carbide detectors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- 4H-SiC epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low temperature reaction of point defects in ion irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Raman characterization of doped 3C-SiC/Si for different silicon substrates and C/Si ratios (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of Ta interlayer on the titanium silicide reaction: C40 formation and scalability of the tisi2 process (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Towards Large Area (111)3C-SiC Films Grown on off-oriented (111)Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Defects in High Energy Ion Irradiated 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomistic and Continuum Simulations of the Homo-epitaxial Growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Comparison Between Different Schottky Diode Edge Termination Structures: Simulations and Experimental Results (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low Power Dissipation SiC Schottky Rectifiers with a Dual-Metal Planar Structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- SiC Films and Coatings: Amorphous, Polycrystalline, Single Crystal Forms (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
- Electrical characterization of nickel silicide contacts on silicon carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Morphological and Electrical Characterization of Electrically Trimmable Thin-Film Resistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fiber texturing in nano-crystalline TiO2 thin films deposited at 150 degrees C by dc-reactive sputtering on fiber-textured [0001] ZnO:Al substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Quantum transport modeling of defected graphene nanoribbons (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High performance SiC detectors for MeV ion beams generated by intense pulsed laser plasmas (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical properties of tisi2 clusters in poly-Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Role of the Support and the Ru Precursor on the Performance of Ru/Carbon Catalysts Towards H-2 Production Through NaBH4 Hydrolysis (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Crystal recovery from Al-implantation induced damaging in 3C-SiC films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High Growth Rate Process in a SiC Horizontal Reactor with HCl Addition: Structural and Electrical Characterization (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Stacking faults evolution during epitaxial growths: Role of surface the kinetics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Structural and electronic characterization of (2,3(3)) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Film Morphology and Process Conditions in Epitaxial Silicon Carbide Growth via Chlorides Route (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Residual Stress Measurement on Hetero-epitaxial 3C-SiC Films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thick Epitaxial Layers Growth by Chlorine Addition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Extended Study of the Step-bunching Mechanism During the Homoepitaxial Growth of SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Bow in 6 inch high-quality off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Very High Growth Rate Epitaxy Processes with Chlorine Addition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Stress nature investigation on heteroepitaxial 3C-SiC film on (100) Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Advanced Residual Stress Analysis and FEM Simulation on Heteroepitaxial 3C-SiC for MEMS Application (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stress relaxation study in 3C-SiC microstructures by micro-raman analysis and finite element modeling (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Patterned substrate with inverted silicon pyramids for 3C-SiC epitaxial growth: A comparison with conventional (001) Si substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Heteroepitaxial Growth of Ge Nanowires on Si Substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Micro-Raman characterization of 4H-SiC stacking faults (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Manufacture of wafers of wide energy gap semiconductor material for the integration of electronic and/or optical and/or optoelectronic devices (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Analysis on 3C-SiC layer grown on pseudomorphic-Si/Si1-xGex/Si(001) heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Curvature evaluation of Si/3C-SiC/Si hetero-structure grown by Chemical Vapor Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High power density UV optical stress for quality evaluation of 4H-SiC epitaxial layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evaluation of mechanical and optical properties of hetero-epitaxial single crystal 3C-SiC squared-membrane (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optical characterization of bulk mobility in 3C-SiC films grown on different orientation of Si substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- 4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Correlation between microstructure control, density and diffusion barrier properties of TiN(O) films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiC-4H Epitaxial Layer Growth by Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor at Very High Growth Rate. (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Kinetic Monte Carlo simulation of dopant-defect systems under submicrosecond laser thermal processes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H) (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- TEM analysis of an additional metal-rich component at the C49-C54 transformation in Ti/Si thin films capped with tin (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Listeria monocytogeneses detection with surface plasmon resonance and protein arrays (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thermal stability of sio2/cosi2/polysilicon multilayer structures improved by cavity formation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of cosi2 thermal stability improved by interfacial cavities (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Origin of the C49-C54 volume anomaly in TiSi2 thin films: An in-situ XRD and TEM analysis (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Mechanisms of growth and defect properties of epitaxial SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Reduction of the power dissipation in silicon carbide Schottky rectifiers by a dual-metal planar structure (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fast growth rate epitaxy by chloride precursors (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1201)
- 3C-SiC film growth on Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Silicon Carbide Epitaxy (Curatela) (Prodotto della ricerca)
- Reduction of the surface density of single Shockley faults by TCS growth process (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evolution of extended defects during epitaxial growths: A Monte Carlo study (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural defects in (100) 3C-SiC heteroepitaxy: Influence of the buffer layer morphology on generation and propagation of stacking faults and microtwins (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Silicon carbide: Defects and devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Optical investigation of bulk electron mobility in 3C-SiC films on Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Focus Issue: Silicon Carbide - Materials, Processing and Devices (Curatela) (Prodotto della ricerca)
- Effects of epitaxial layer growth parameters on the defect density and on the electrical characteristics of Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Microtwin reduction in 3C-SiC heteroepitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Monte carlo study of the hetero-polytypical growth of cubic on hexagonal silicon carbide polytypes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Codice
- Anno di chiusura previsto
- 2015-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Primo anno di attività
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Abstract
- Nel campo dei dispositivi di potenza realizzati su SiC lo sforzo della comunità internazionale è rivolto al miglioramento della qualità del materiale, all'aumento delle dimensioni dei wafer ed alla riduzione dei costi. In questo ambito si colloca l'attività di ricerca della commessa che intende sviluppare nuovi processi e attrezzature per la produzione di wafer di Carburo di Silicio. Il lavoro di ricerca verrà focalizzato sui seguenti punti:
a)sviluppo di reattori CVD per la crescita di substrati di carburo di silicio e per la crescita omo-epitassiale;
b)sviluppo di processi di etero-epitassia SiC/Si;
c)sviluppo di processi di crescita con nuovi precursori contenenti cloro;
d)sviluppo di codici di simulazione dei reattori e dei processi;
e)sviluppo di tecniche di caratterizzazione dei materiali cresciuti.
f) sviluppo di nuove applicazioni del carburo di silicio sia nel campo del fotovoltaico, sia nel campo dei MEMS. (literal)
- Nome
- Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (literal)
- Descrizione
- Modulo di
- Gestore
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- Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of epitaxial layer growth parameters on the defect density and on the electrical characteristics of Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- A kinetic Monte Carlo method on super-lattices for the study of the defect formation in the growth of close packed structures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- High growth rate process in a SiC horizontal CVD reactor using HCl (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of Mo interlayer on thermal stability of polycrystalline NiSi thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optical and electrical properties of 4H-SiC epitaxial layer grown with HCl addition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Simulation and exerimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Annealing Effects on Leakage Current and Epilayer Doping Concentration of p+n Junction 4H-SiC Diodes after Very High Neutron Irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Surface Plasmon Resonance Imaging technique for nucleic acid detection (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical properties of high energy ion irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural defects in (100) 3C-SiC heteroepitaxy: Influence of the buffer layer morphology on generation and propagation of stacking faults and microtwins (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Optical investigation of bulk electron mobility in 3C-SiC films on Si substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Microtwin reduction in 3C-SiC heteroepitaxy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- First Principles Investigation on the Modifications of the 4H-SiC Band Structure Due to the (4,4) and (3,5) Stacking Faults (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermal stability of sio2/cosi2/polysilicon multilayer structures improved by cavity formation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of cosi2 thermal stability improved by interfacial cavities (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- TEM analysis of an additional metal-rich component at the C49-C54 transformation in Ti/Si thin films capped with tin (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
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