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				<div class="content">
					<div id="navpath"><strong>http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID5320</strong> </div>
					<div class="scheda"><h1>Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001)</h1>
<dl><dt>Type</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/retescientifica.owl#Modulo' class = 'external' >Modulo</a> (Classe)</li></ul></dd><dt>Label</dt><dd><ul><li>Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (literal)</li></ul></dd><dt>Prodotto</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID3585'>Synthesis and characterization of Fe3Si/SiO2 structures for spintronics (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID400'>Microwave propagation in round guiding structures based on double negative metamaterials (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1950'>The magnetic interaction of Fe doped ZnO with intrinsic defects: A first principles study (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1953'>Atomic layer deposition of magnetic thin films (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID3143'>Manipulation of localized charge states in n-MOSFETs with microwave irradiation (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1938'>Innovative dielectrics for semiconductor technology (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1945'>Wet oxidation of nitride layer implanted with low-energy Si ions for improved oxide-nitride-oxide memory stacks (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1947'>[(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1949'>Conduction band offset of HfO2 on GaAs (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1934'>Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1951'>Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1954'>Defect-related local magnetism at dilute Fe atoms in ion-implanted ZnO (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1958'>Polarization properties of (1(1)over-bar00) and (11(2)over-bar0) SiC surfaces from first principles (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1939'>Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2 (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1941'>Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1943'>Understanding of the thermal stability of the hafnium oxide/TiN stack via 2 'high k' and 2 metal deposition techniques (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1946'>Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID3270'>Evidence of dangling bond electrical activity at the Ge/oxide interface (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2740'>Growth study of GexSbyTez deposited by MOCVD under nitrogen for non-volatile memory applications (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID734'>Effect of the triplet state on the random telegraph signal in Si n-MOSFETs (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID167566'>Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID167735'>Effect of microwave irradiation on the emission and capture dynamics in silicon metal oxide semiconductor field effect transistors (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1445'>A study of the growth of Lu2O3 on Si(001) by synchrotron radiation photoemission and transmission electron microscopy (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2741'>Study of the interfaces in resistive switching MID thin films deposited by both ALD and e-beam coupled with different electrodes (Si, Ni, Pt, W, TiN) (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1846'>Maximally localized Wannier functions constructed from projector-augmented waves or ultrasoft pseudopotentials (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID3204'>Effect of oxygen on the electronic configuration of Gd2O3/Ge heterojunctions (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2738'>Atomic layer deposition of NiO films on Si(100) using cyclopentadienyl-type compounds and ozone as precursors (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2770'>Energy band alignment at TiO2/Si interface with various interlayers (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID117'>Mn-doped GaN/AlN heterojunction for spintronic devices (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2766'>Spectroscopic ellipsometry study of thin NiO films grown on Si (100) by atomic layer deposition (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2767'>Effect of rapid thermal annealing on optical and interfacial properties of atomic-layer-deposited Lu2O3 films on Si (100) (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2769'>Infrared spectroscopy and X-ray diffraction studies on the crystallographic evolution of La2O3 films upon annealing (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1957'>Ab initio GW electron-electron interaction effects in quantum transport (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1959'>Ab initio correlation effects on the electronic and transport properties of metal(II)-phthalocyanine-based devices (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1944'>Development of a parallel-plate avalanche counter to perform conversion electron Mossbauer spectroscopy at low temperatures (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2768'>Thin MnO and NiO films grown using atomic layer deposition from ethylcyclopentadienyl type of precursors (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2833'>Defect-induced effects on carrier migration through one-dimensional poly(para-phenylenevinylene) chains (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1952'>The structure of charge-compensated Fe3+ ions in ZnO (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID130'>Computation of the Stark effect in P impurity states in silicon (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1955'>Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2862'>Stability and interface quality of GeO2 films grown on Ge by atomic oxygen assisted deposition (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1935'>The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1940'>Ab initio study of magnetic interaction of Fe doped ZnO with intrinsic vacancies (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1942'>Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1931'>Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (vol 91, art no. 102901, 2007) (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1654'>Microwave irradiation effects on random telegraph signal in a MOSFET (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2863'>Structure and interface bonding of GeO2/Ge/In0.15Ga0.85As heterostructures (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1475'>Symmetry lowering of pentacene molecular states interacting with a Cu surface (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2907'>Size dependence of the Mossbauer recoilless fraction in beta-Sn nanocrystals (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li></ul></dd><dt>Codice</dt><dd><ul><li>MD.P06.019.001 (literal)</li></ul></dd><dt>Anno di chiusura previsto</dt><dd><ul><li>2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)</li></ul></dd><dt>Istituto esecutore</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/istituto/CDS110'>Centro di responsabilità scientifica INFM (INFM)</a> (Istituto)</li></ul></dd><dt>Primo anno di attività</dt><dd><ul><li>2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)</li></ul></dd><dt>Abstract</dt><dd><ul><li>Le attività di ricerca della commessa hanno come obiettivo principale lo sviluppo di qubits basati su spin e/o carica dovuti ad impurezze (droganti o difetti profondi) in silicio. In particolare l'attività si concentra sullo studio, in condizioni di basse temperature ed alti campi magnetici, del trasporto di carica, anche dipendente dallo spin, della dipendenza dell'interazione iperfine da campi elettrici, in nanostrutture (fili e punti quantici) di silicio. Gli sviluppi di sistemi innovativi di rivelazione della risonanza di spin elettronico sono motivati dalla necessità di rivelare e manipolare il singolo spin, ma trovano anche applicazioni metrologiche avanzate per lo studio di nanostrutture. Lo sviluppo di micro- e nano-rings e di antenne on-chip fa parte della stessa linea di ricerca. Le nanostrutture studiate provengono da collaborazioni con laboratori accademici e industriali o sono realizzate in MDM mediante tecniche litografiche o processi bottom-up. Lo studio del magnetismo in alcuni semiconduttori impiegabili per l'iniezione in silicio di spin polarizzati completa le attivita.  E' proseguita l'attività di caratterizzazione di molecole e complessi nanoparticelle-molecole. (literal)</li></ul></dd><dt>Nome</dt><dd><ul><li>Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (literal)</li></ul></dd><dt>Descrizione</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionestatoavanzamentoattivita/MODULO-ID5320'>Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001)"</a> (Descrizione stato avanzamento attività)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionemodulo-descrizionemodulo/ID5320'>Descrizione del modulo "Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001)"</a> (Descrizione modulo)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionecollaborazioni/MODULO-ID5320'>Descrizione collaborazioni del modulo "Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001)"</a> (Descrizione collaborazioni)</li></ul></dd><dt>Modulo di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/commessa/ID5202'>Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (MD.P06.019)</a> (Commessa)</li></ul></dd><dt>Gestore</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27510'>MARCO FANCIULLI</a> (Persona)</li></ul></dd>

</dl>

<br/><h4>Incoming links:</h4><br/><dl><dt>Istituto esecutore di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/istituto/CDS110'>Centro di responsabilità scientifica INFM (INFM)</a> (Istituto)</li></ul></dd><dt>Gestore di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27510'>MARCO FANCIULLI</a> (Persona)</li></ul></dd><dt>Modulo</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/commessa/ID5202'>Nanostrutture di semiconduttori ed ossidi per applicazioni in nanoelettronica e spintronica (MD.P06.019)</a> (Commessa)</li></ul></dd><dt>Descrizione di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionecollaborazioni/MODULO-ID5320'>Descrizione collaborazioni del modulo "Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001)"</a> (Descrizione collaborazioni)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionemodulo-descrizionemodulo/ID5320'>Descrizione del modulo "Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001)"</a> (Descrizione modulo)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionestatoavanzamentoattivita/MODULO-ID5320'>Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001)"</a> (Descrizione stato avanzamento attività)</li></ul></dd><dt>Prodotto di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID130'>Computation of the Stark effect in P impurity states in silicon (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID400'>Microwave propagation in round guiding structures based on double negative metamaterials (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1475'>Symmetry lowering of pentacene molecular states interacting with a Cu surface (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1939'>Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2 (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1941'>Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1943'>Understanding of the thermal stability of the hafnium oxide/TiN stack via 2 'high k' and 2 metal deposition techniques (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1946'>Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1951'>Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1954'>Defect-related local magnetism at dilute Fe atoms in ion-implanted ZnO (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1958'>Polarization properties of (1(1)over-bar00) and (11(2)over-bar0) SiC surfaces from first principles (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2738'>Atomic layer deposition of NiO films on Si(100) using cyclopentadienyl-type compounds and ozone as precursors (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2768'>Thin MnO and NiO films grown using atomic layer deposition from ethylcyclopentadienyl type of precursors (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2769'>Infrared spectroscopy and X-ray diffraction studies on the crystallographic evolution of La2O3 films upon annealing (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2862'>Stability and interface quality of GeO2 films grown on Ge by atomic oxygen assisted deposition (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID117'>Mn-doped GaN/AlN heterojunction for spintronic devices (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1846'>Maximally localized Wannier functions constructed from projector-augmented waves or ultrasoft pseudopotentials (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1931'>Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (vol 91, art no. 102901, 2007) (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1935'>The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1940'>Ab initio study of magnetic interaction of Fe doped ZnO with intrinsic vacancies (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1942'>Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation (Articolo in rivista)</a> (Prodotto della ricerca)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1944'>Development of a parallel-plate avalanche counter to perform conversion electron Mossbauer spectroscopy at low temperatures (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1952'>The structure of charge-compensated Fe3+ ions in ZnO (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1955'>Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1957'>Ab initio GW electron-electron interaction effects in quantum transport (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID1959'>Ab initio correlation effects on the electronic and transport properties of metal(II)-phthalocyanine-based devices (Articolo in rivista)</a> (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID2740'>Growth study of GexSbyTez deposited by MOCVD under nitrogen for non-volatile memory applications (Articolo in rivista)</a> (Prodotto 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