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Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001)
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- Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (literal)
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- An atomic force microscopy study of the effects of surface treatments of diamond films produced by chemical vapor deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Conductive-filament switching analysis and self-accelerated thermal dissolution model for reset in NiO-based RRAM (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Analysis and design of coupled frequency selective surfaces as a novel kind of waveguide filter (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
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- Effect of microwave irradiation on the emission and capture dynamics in silicon metal oxide semiconductor field effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Early events in insulin fibrillization studied by time-lapse atomic force microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Atomic layer deposition of NiO films on Si(100) using cyclopentadienyl-type compounds and ozone as precursors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Stability and interface quality of GeO2 films grown on Ge by atomic oxygen assisted deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Vertically stacked non-volatile memory devices - material considerations (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Resistance switching in amorphous and crystalline binary oxides grown by electron beam evaporation and atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Integration of organic based Schottky junctions into crossbar arrays by standard UV lithography (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Infrared spectroscopy and X-ray diffraction studies on the crystallographic evolution of La2O3 films upon annealing (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Determination of the valence band offset of MOVPE-grown In0.48Ga0.52P/GaAs multiple quantum wells by admittance spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thin MnO and NiO films grown using atomic layer deposition from ethylcyclopentadienyl type of precursors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electrical behavior of zinc oxide layers grown by low temperature atomic layer deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of SiO2 Modifications Induced by Oxygen Plasmas and Their Effect on Wet Processes (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Effect of oxygen on the electronic configuration of Gd2O3/Ge heterojunctions (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Local structure of Sn implanted in thin SiO2 films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Integration of organic based Schottky junctions for crossbar non-volatile memory applications (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Manipulation of localized charge states in n-MOSFETs with microwave irradiation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- New selector based on zinc oxide grown by low temperature atomic layer deposition for vertically stacked non-volatile memory devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Synthesis and characterization of Fe3Si/SiO2 structures for spintronics (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Hot-wire chemical vapor deposition of chalcogenide materials for phase change memory applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Growth study of GexSbyTez deposited by MOCVD under nitrogen for non-volatile memory applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Chemical vapor deposition of chalcogenide materials for phase-change memories (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Evidence of dangling bond electrical activity at the Ge/oxide interface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Al2O3 as gate dielectric for organic transistors: Charge transport phenomena in poly-(3-hexylthiophene) based devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Band alignment at the La2Hf2O7/(001)Si interface (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- X-ray photoelectron spectroscopy study of energy-band alignments of Lu2O3 on Ge (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Electron density profile at the interface of SiO2/Si(001) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Comparative study of negative cluster emission in sputtering of Si, Ge and their oxides (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Raman stress maps from finite-element models of silicon structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Diffusion reaction of oxygen in HfO2/SiO2/Si stacks (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Identification of substitutional and interstitial Fe in 6H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Size dependence of the Mossbauer recoilless fraction in beta-Sn nanocrystals (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Defect-related local magnetism at dilute Fe atoms in ion-implanted ZnO (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Development of a parallel-plate avalanche counter to perform conversion electron Mossbauer spectroscopy at low temperatures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The structure of charge-compensated Fe3+ ions in ZnO (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Understanding of the thermal stability of the hafnium oxide/TiN stack via 2 'high k' and 2 metal deposition techniques (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Structural and optical analysis of MOVPE-grown InGaP/GaAs superlattices (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fabrication of GeO2 layers using a divalent Ge precursor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Voltage regulation of fluorescence emission of single dyes bound to gold nanoparticles (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ab initio study of magnetic interaction of Fe doped ZnO with intrinsic vacancies (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Atomic layer deposited Al2O3 as a capping layer for polymer based transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Disordered chromite in the Martian meteorite Allan Hills 84001 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 films (vol 91, art no. 102901, 2007) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Atomic layer deposition of magnetic thin films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Self-organised synthesis of Rh nanostructures with tunable chemical reactivity (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Innovative dielectrics for semiconductor technology (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- [(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Energy band alignment at TiO2/Si interface with various interlayers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Interface engineering for Ge metal-oxide-semiconductor devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Spectroscopic ellipsometry study of thin NiO films grown on Si (100) by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of rapid thermal annealing on optical and interfacial properties of atomic-layer-deposited Lu2O3 films on Si (100) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- The international VAMAS project on X-ray reflectivity measurements for evaluation of thin films and multilayers - Preliminary results from the second round-robin (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Study of the interfaces in resistive switching MID thin films deposited by both ALD and e-beam coupled with different electrodes (Si, Ni, Pt, W, TiN) (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Amorphization dynamics of Ge2Sb2Te5 films upon nano- and femtosecond laser pulse irradiation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Phosphorous-oxygen hole centers in phosphosilicate glass films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Formation of Fe-i-Bpairs in silicon at high temperatures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Codice
- Anno di chiusura previsto
- 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Primo anno di attività
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Abstract
- Le attività di ricerca della commessa hanno come obiettivi principali lo sviluppo di materiali, processi e dispositivi con funzionalità logiche e di memoria ultrascalati. Tali dispositivi innovativi sono sia basati su CMOS, sia su concetti di memoria non volatile che sfruttano diversi fenomeni fisico-chimici quali il cambiamento di fase in materiali calcogenuri, la commutazione resistiva in ossidi, e le proprietà elettroniche dei nanocristalli di metalli e semiconduttori in matrici isolanti. Le competenze acquisite sui processi, i materiali e la loro caratterizzazione hanno aperto anche attività che si pongono come obiettivo la realizzazione di dispositivi emergenti ed innovativi per l'elettronica di spin (spintronica), quali giunzioni tunnel ferromagnetiche basate su ossidi, metalli e semimetalli, la nanoelettronica e spintronica a singolo atomo, e la neuroelettronica (dispositivi Elettrolita-Ossido-Semiconduttore per l'eccitazione capacitiva di neuroni anche in microstrutture di silicio per impiantazione diretta nel cervello di cavie). (literal)
- Nome
- Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (literal)
- Descrizione
- Modulo di
- Gestore
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- Prodotto di
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- Admittance Spectroscopy of GaAs/InGaP MQW Structures (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- GaAs/InGaP MQWs for high efficiency solar cells (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analysis and design of coupled frequency selective surfaces as a novel kind of waveguide filter (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Rare earth oxifr thin films - Growth, characterization, and applications (Monografia o trattato scientifico) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1401)
- Metodo di misura della costante dielettrica e magnetica dei materiali in riflessione/trasmissione ad alta precisione (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Sviluppo e caratterizzazione di materiali per dispositivi microelettronici avanzati (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Early events in insulin fibrillization studied by time-lapse atomic force microscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Determination of the valence band offset of MOVPE-grown In0.48Ga0.52P/GaAs multiple quantum wells by admittance spectroscopy (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Al2O3 as gate dielectric for organic transistors: Charge transport phenomena in poly-(3-hexylthiophene) based devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Effect of microwave irradiation on the emission and capture dynamics in silicon metal oxide semiconductor field effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Reproducibility in X-ray reflectometry: results from the first world-wide round-robin experiment (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Local structure of Sn implanted in thin SiO2 films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID127
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