Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001)

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Label
  • Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P05.006.001 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • La continua miniaturizzazione dei dispositivi elettronici basati su Si pone grandi sfide scientifiche. Infatti, la riduzione delle dimensioni e l'aumento della densità dei dispositivi, determina un incremento delle lunghezze tipiche delle interconnessioni, generando un ritardo crescente nella propagazione dei segnali. Inoltre, il trend verso dimensioni nanometriche dei dispositivi pone problematiche assolutamente nuove legate ad effetti quantistici e ad una maggiore interazione drogante-drogante e drogante-difetti. Infine la sfida energetica richiede celle solari più efficienti ed a basso costo attraverso l'uso delle nanotecnologie. La presente ricerca intende trovare soluzioni innovative attraverso un controllo su scala atomica dei materiali ed una ingegneria dei difetti e delle impurezze. In particolare, verranno investigati i meccanismi di emissione, trasporto, assorbimento e controllo di luce in Si. Verranno inoltre studiati i meccanismi atomici di interazione tra droganti, difetti ed impurezze in Si, in Ge ed in eterostrutture a base di Si e di Ge al fine di realizzare materiali per le future generazioni di CMOS ultrascalati ed ultraveloci, e di celle solari. (literal)
Nome
  • Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (literal)
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