Dispositivi per spintronica a base di strutture ibride organico-inorganico e semiconduttori magnetici diluiti (PM.P04.006.001)

Type
Label
  • Dispositivi per spintronica a base di strutture ibride organico-inorganico e semiconduttori magnetici diluiti (PM.P04.006.001) (literal)
Prodotto
Codice
  • PM.P04.006.001 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • I films ferromagnetici epitassiali rivestono un ruolo cruciale nei dispositivi spintronici, quali le memorie RAM magnetiche (MRAM), sensori magnetici e LED con elettrodi spin-polarizzati. Lo stesso vale per il campo recentemente avviato della spintronica organica. In letteratura le tecniche di deposizione impiegate in questo campo sono tipicamente MBE per materiali importanti come MnAs, GaMnAs, MnSb e laser ablation per gli ossidi complessi quali La1-xMnxSrO3. Uno degli scopi del modulo è di mettere a punto la deposizione epitassiale di films MnAs mediante MOVPE in quanto tecnica più adatta ad una eventuale produzione industriale. Un secondo aspetto è quello della miniaturizzazione. In analogia alla microelettronica il potenziale della spintronica organica potrà essere sfruttato a pieno solo se saranno sviluppate adeguate tecniche lithografiche per processare i materiali peculiari impiegati in questo campo, ed in particolare i materiali organici. Si tratta di mettere a punto opportune tecniche \"soft-lithografiche\" per la micro/nano strutturazione degli elettrodi e dei strati organici per realizzare micro-spin-OLEDs e micro-spin-valves (literal)
Nome
  • Dispositivi per spintronica a base di strutture ibride organico-inorganico e semiconduttori magnetici diluiti (literal)
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