Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003)
- Type
- Modulo (Classe)
- Label
- Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003) (literal)
- Prodotto
- Radiation damage annealing (thermal and laser) in Mg implanted GaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- The effect of excimer laser pretreatment on diffusion and activation of boron implanted in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Role of fight scattering in excimer laser annealing of Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Advanced gate stack architecture for excimer laser annealing integration in power MOS fabrication (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Dual frequency PECVD silicon nitride for fabrication of CMUTs' membranes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Mechanism of de-activation and clustering of B in Si at extremely high concentration (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Process for manufacturing a high scale integration MOS device (Brevetto) (Brevetto)
- Mechanism of de-activation and clustering of B in Si at extremely high concentration (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- RBSchanneling analysis of ionirradiation effects in heavilydoped Si:As (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Ultra-shallow junction by laser annealing: integration issues and modelling (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Ultra-shallow junction by laser annealing: Integrationissues and modelling (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Boron distribution in silicon after excimer laser annealing with multiple pulses (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- B-doping in Ge by excimer laser annealing (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Perspectives and advantages of the use of excimer laser annealing for MOS technology (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical activation phenomena induced by excimer laser annealing in B-implanted silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Process for manufacturing a high scale integration MOS device and corresponding MOS device (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Excimer Laser annealing for shallow junction formation in Si power MOS devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Boron distribution in silicon after multiple pulse excimer laser annealing (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Codice
- MD.P05.001.003 (literal)
- Anno di chiusura previsto
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
- Primo anno di attività
- 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Abstract
- Nellambito dei processi per la realizzazione di giunzioni ultrasottili, CNR-IFN ha sviluppato processi di annealing mediante laser ad eccimeri che consentono di ottenere profondità di giunzione estremamente ridotte (fino a 35 nm) con elevata attivazione. Tale attività è supportata dal progetto FIRB Sviluppo di Sistemi Miniaturizzati e dal progetto Fundamentals and Applications of Laser Processing for Highly Innovative MOS Technology (FLASH), finanziato nellambito dei Progetti FET IST del V Programma Quadro. Obiettivo ultimo è la realizzazione di dispositivi MOS di potenza le cui giunzioni di source sono realizzate mediante impianto ed annealing tramite laser ad eccimeri. Recentemente, sono state proposte e brevettate delle nuove architetture che includono la realizzazione di specchi alla Bragg per la mascheratura di zone che non si intende esporre alla radiazione laser durante lirraggiamento e si prevede di ottimizzare tali strutture per dispositivi MOS di potenza scalati. (literal)
- Nome
- Processi laser per dispostivi a semiconduttore (literal)
- Descrizione
- Descrizione collaborazioni del modulo "Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003)" (Descrizione collaborazioni)
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Descrizione del modulo "Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003)" (Descrizione modulo)
- Modulo di
- Gestore
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
Incoming links:
- Modulo
- Istituto esecutore di
- Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
- Gestore di
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
- Prodotto di
- Mechanism of de-activation and clustering of B in Si at extremely high concentration (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- RBSchanneling analysis of ionirradiation effects in heavilydoped Si:As (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
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- Advanced gate stack architecture for excimer laser annealing integration in power MOS fabrication (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Radiation damage annealing (thermal and laser) in Mg implanted GaN (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Dual frequency PECVD silicon nitride for fabrication of CMUTs' membranes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ultra-shallow junction by laser annealing: Integrationissues and modelling (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Process for manufacturing a high scale integration MOS device (Brevetto) (Brevetto)
- Process for manufacturing a high scale integration MOS device and corresponding MOS device (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Electrical activation phenomena induced by excimer laser annealing in B-implanted silicon (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Excimer Laser annealing for shallow junction formation in Si power MOS devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Perspectives and advantages of the use of excimer laser annealing for MOS technology (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Mechanism of de-activation and clustering of B in Si at extremely high concentration (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Boron distribution in silicon after excimer laser annealing with multiple pulses (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Role of fight scattering in excimer laser annealing of Si (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- The effect of excimer laser pretreatment on diffusion and activation of boron implanted in silicon (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- B-doping in Ge by excimer laser annealing (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Descrizione di
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Descrizione collaborazioni del modulo "Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003)" (Descrizione collaborazioni)
- Descrizione del modulo "Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003)" (Descrizione modulo)