Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003)

Type
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  • Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P05.001.003 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • Nell’ambito dei processi per la realizzazione di giunzioni ultrasottili, CNR-IFN ha sviluppato processi di annealing mediante laser ad eccimeri che consentono di ottenere profondità di giunzione estremamente ridotte (fino a 35 nm) con elevata attivazione. Tale attività è supportata dal progetto FIRB “Sviluppo di Sistemi Miniaturizzati” e dal progetto “Fundamentals and Applications of Laser Processing for Highly Innovative MOS Technology” (FLASH), finanziato nell’ambito dei Progetti FET IST del V Programma Quadro. Obiettivo ultimo è la realizzazione di dispositivi MOS di potenza le cui giunzioni di source sono realizzate mediante impianto ed annealing tramite laser ad eccimeri. Recentemente, sono state proposte e brevettate delle nuove architetture che includono la realizzazione di specchi alla Bragg per la mascheratura di zone che non si intende esporre alla radiazione laser durante l’irraggiamento e si prevede di ottimizzare tali strutture per dispositivi MOS di potenza scalati. (literal)
Nome
  • Processi laser per dispostivi a semiconduttore (literal)
Descrizione
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