Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001)

Type
Label
  • Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (literal)
Prodotto
Codice
  • MD.P05.003.001 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2016-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • L'attività del modulo è incentrata sullo studio di processi per dispositivi di potenza su semiconduttori ad ampia banda proibita (SiC e GaN). L'obiettivo principale è sviluppare conoscenze di base sulla tecnologia per SiC e GaN (ad esempio: metallizzazioni, processi di ossidazione, attacchi, drogaggi selettivi, processi tecnologici per dispositivi Schottky, JBS e p-n in SiC, dielettrici di gate per MOSFET in SiC e MISHFET in GaN, HEMT in GaN con tecnologia E-mode). Particolare rilevanza è data alla comprensione dei meccanismi di trasporto in interfacce (metallo/semiconduttore, ossido/semiconduttore…), attualmente tra le questioni fondamentali per l'ottimizzazione delle prestazioni dei dispositivi in SiC e GaN in termini di efficienza energetica. Tali sistemi vengono caratterizzati sia da un punto di vista morfologico e strutturale, che da un punto di vista elettrico ed affidabilistico (tramite la fabbricazione di test pattern e dispositivi), correlando le proprietà di trasporto a livello microscopico con le caratteristiche dei dispositivi. Parte dell'attività viene svolta nell'ambito di progetti di ricerca di rilevanza internazionale o collaborazioni con l'industria. (literal)
Nome
  • Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (literal)
Descrizione
Modulo di
Gestore

Incoming links:


Prodotto di
Gestore di
Istituto esecutore di
Modulo
Descrizione di
data.CNR.it