Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001)
- Type
- Modulo (Classe)
- Label
- Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (literal)
- Prodotto
- Excimer Laser Annealing for Low-Temperature Polysilicon Thin Film Transistors Fabrication on Plastic Substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Excimer Laser Annealing of Ion-implanted Silicon: Dopant Activation, Diffusion and Defect Formation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analysis of self-heating effects in polycrystalline silicon TFTs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical Instabilities in P-channel Polysilicon TFTs: Role of Hot Carrier and Self-heating Effects (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Pentacene FETs for sensing applications based on supersonic molecular beam growth (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Insight into excimer laser crystallization exploiting ellipsometry : effect of Si film precursor (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical stability and thermal annealing effects in pentacene thin film transistors passivated by parylene (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Insight into excimer laser crystallization exploiting ellipsometry: effect of si film precursor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Processo per fabbricare un dispositivo TFT con regioni di source e drain aventi un profilo di drogante graduale (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Hot carrier-Induced Degradation of LDD Polysilicon TFTs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Modelling velocity saturation and kink effects in polysilicon thin-film transistors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Aging effects in high performance Pentacene Thin Film Transistors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Transport properties of SLS polysilicon TFTs (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Electrical stability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Hot carrier effects in p-channel polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- P-channel asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Thermal annealing effects on the interface state density of MOS capacitors with ECR-PECVD SiO2 (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Hot carrier effects in p-channel polysilicon TFTs fabricated on flexible substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Hot Carrier Effects in p-Channel Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated on Flexible Substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Negative bias temperature Instability in self-aligned and non-self-aligned p-channel polysilicon TFTs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Messa a punto di un processo di realizzazione di transistor a film sottile di silicio policristallino su substrati plastici (polyimide). (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- Nitric Oxide Exhaled Sensor Integrated System\", NOESIS (Rapporto Tecnico Anno 2009) (Rapporti finali progetti di ricerca) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1718)
- Asymmetric fingered polysilicon p-channel Thin Film Transistors structure for kink effect suppression (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Polysilicon Thin Film Transistors on Spin-coated Polyimide Layer for Flexible Electronics (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Defect generation and evolution in laser processing of Si (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Low temperature polysilicon TFTs on polyimide substrates for flexible display applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Effect of active layer thickness on electrical characteristics of pentacene TFTs with PMMA buffer layer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Integration of Melting Excimer Laser Annealing in Power MOS Technology (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Vacancy generation in liquid phase epitaxy of Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low-temperature polysilicon Thin Film Transistors on Polyimide substrates for electronics on plastic (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical stability in self-aligned p-channel polysilicon Thin Film Transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Grain Boundary Characterisation in Sequentially Laterally Solidified Polycrystalline-Silicon Thin Film Transistors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- RBS-channeling analysis of ion-irradiation effects in heavily-doped Si : As (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Hump Characteristics and Edge Effects in Polysilicon Thin Film Transistors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Numerical Simulation of Parasitic Resistance Effects in Polycrystalline Silicon TFTs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Modelling Velocity Saturation Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low-temperature electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical-vapor deposition silicon dioxide as gate insulator for polycrystalline silicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of Fabrication Parameters on the Electrical Stability of Gate Overlapped LDD Polysilicon TFTs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Short channel effects in polysilicon TFTs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Annealing temperature effects on the electrical characteristics of p-channel polysilicon thin film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Hot carrier effects in p-channel polysilicon thin film transistors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Nitric Oxide Exhaled Sensor Integrated System, Terzo Rapporto (Rapporti progetti di ricerca) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1714)
- Design, Fabrication and Characterization of G Gate GaN HEMT for High-Frequency/Wide-Band applications (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- NOESIS, secondo rapporto-1°Bando DBT-FILAS 2009-2012 (Rapporti progetti di ricerca) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1714)
- Controlling Field Effect Mobility in Pentacene Based Transistors by Supersonic Molecular Beam Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermal annealing effects on the interface state density of metal-oxide-semiconductor capacitors with electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition Silicon dioxide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Very high power Field-Plate GaAs pHEMT technology for C and X-band applications (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Dispositivo OTFT (Organic Thin Film Transistors) in pentacene ad alta mobilità con buffer layer di PMMA (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- A comparative analysis of silicon dioxide films deposited by ECR-PECVD, TEOS-PECVD and Vapox-APCVD (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Dopant and defect interactions in polycrystalline silicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicon dioxide deposite d by ECR-PECVD for low-temperature Si devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improved electrical stability in asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Grain boundary evaluation in sequentially laterally solidified polycrystalline-silicon devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Progettazione e disegno delle maschere di un dispositivo keypad, realizzato su substrato plastico con tecnologia di transistor a film sottile di silicio policristallino (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Codice
- MD.P05.001.001 (literal)
- Anno di chiusura previsto
- 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Istituto esecutore
- Primo anno di attività
- 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Abstract
- Lattività prevede lo sviluppo e lottimizzazione di processi per la realizzazione di transistor a film sottile (TFT) di polisilicio su substrati polimerici. In particolare, si prevede di utilizzare la tecnica del laser annealing per ottenere materiale policristallino di alta qualità a bassa temperatura di processo. Si stanno sviluppando diverse architetture di dispositivi finalizzate allottimizzazione della loro applicazione in ambito display su substrati flessibili. Inoltre, nellambito del progetto FlexiDis, finanziato dalla UE, si stanno investigando, in collaborazione con il LETI, alcuni aspetti delle proprietà elettriche e di stabilità di TFT a canale p, realizzati su substrati flessibili di acciaio, in presenza di stress meccanico e dellottimizzazione di TFT a canale n con contatti LDD. Infine, è in fase di sviluppo la realizzazione di TFT con semiconduttori organici, quali il pentacene. I recenti risultati ottenuti hanno mostrato che i dispositivi realizzati con un nuovo processo messo a punto hanno mobilità oltre 1 cm2/Vs. (literal)
- Nome
- Dispositivi per elettronica di larga area (literal)
- Descrizione
- Descrizione collaborazioni del modulo "Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001)" (Descrizione collaborazioni)
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Descrizione del modulo "Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001)" (Descrizione modulo)
- Modulo di
- Gestore
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
Incoming links:
- Prodotto di
- Insight into excimer laser crystallization exploiting ellipsometry : effect of Si film precursor (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Analysis of self-heating effects in polycrystalline silicon TFTs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Pentacene FETs for sensing applications based on supersonic molecular beam growth (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Hot carrier effects in p-channel polysilicon TFTs fabricated on flexible substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Aging effects in high performance Pentacene Thin Film Transistors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical stability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- P-channel asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Thermal annealing effects on the interface state density of MOS capacitors with ECR-PECVD SiO2 (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Annealing temperature effects on the electrical characteristics of p-channel polysilicon thin film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of Fabrication Parameters on the Electrical Stability of Gate Overlapped LDD Polysilicon TFTs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low-temperature electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical-vapor deposition silicon dioxide as gate insulator for polycrystalline silicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Modelling Velocity Saturation Effects in Polysilicon Thin-Film Transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Numerical Simulation of Parasitic Resistance Effects in Polycrystalline Silicon TFTs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Short channel effects in polysilicon TFTs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Dopant and defect interactions in polycrystalline silicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Silicon dioxide deposite d by ECR-PECVD for low-temperature Si devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Improved electrical stability in asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- A comparative analysis of silicon dioxide films deposited by ECR-PECVD, TEOS-PECVD and Vapox-APCVD (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Controlling Field Effect Mobility in Pentacene Based Transistors by Supersonic Molecular Beam Deposition (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Hot carrier effects in p-channel polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Hot carrier-Induced Degradation of LDD Polysilicon TFTs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Modelling velocity saturation and kink effects in polysilicon thin-film transistors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Transport properties of SLS polysilicon TFTs (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Excimer Laser Annealing of Ion-implanted Silicon: Dopant Activation, Diffusion and Defect Formation (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Dispositivo OTFT (Organic Thin Film Transistors) in pentacene ad alta mobilità con buffer layer di PMMA (Brevetto) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1601)
- Processo per fabbricare un dispositivo TFT con regioni di source e drain aventi un profilo di drogante graduale (Brevetto) (Prodotto della ricerca)
- Progettazione e disegno delle maschere di un dispositivo keypad, realizzato su substrato plastico con tecnologia di transistor a film sottile di silicio policristallino (Risultati di valorizzazione applicativa) (Prodotto della ricerca)
- Insight into excimer laser crystallization exploiting ellipsometry: effect of si film precursor (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical stability in self-aligned p-channel polysilicon Thin Film Transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Design, Fabrication and Characterization of G Gate GaN HEMT for High-Frequency/Wide-Band applications (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- RBS-channeling analysis of ion-irradiation effects in heavily-doped Si : As (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Low-temperature polysilicon Thin Film Transistors on Polyimide substrates for electronics on plastic (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effect of active layer thickness on electrical characteristics of pentacene TFTs with PMMA buffer layer (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Hump Characteristics and Edge Effects in Polysilicon Thin Film Transistors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Nitric Oxide Exhaled Sensor Integrated System, Terzo Rapporto (Rapporti progetti di ricerca) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1714)
- Vacancy generation in liquid phase epitaxy of Si (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Integration of Melting Excimer Laser Annealing in Power MOS Technology (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Very high power Field-Plate GaAs pHEMT technology for C and X-band applications (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Hot carrier effects in p-channel polysilicon thin film transistors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Grain boundary evaluation in sequentially laterally solidified polycrystalline-silicon devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Low temperature polysilicon TFTs on polyimide substrates for flexible display applications (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Electrical stability and thermal annealing effects in pentacene thin film transistors passivated by parylene (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical Instabilities in P-channel Polysilicon TFTs: Role of Hot Carrier and Self-heating Effects (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Excimer Laser Annealing for Low-Temperature Polysilicon Thin Film Transistors Fabrication on Plastic Substrates (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Negative bias temperature Instability in self-aligned and non-self-aligned p-channel polysilicon TFTs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Polysilicon Thin Film Transistors on Spin-coated Polyimide Layer for Flexible Electronics (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Grain Boundary Characterisation in Sequentially Laterally Solidified Polycrystalline-Silicon Thin Film Transistors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Hot Carrier Effects in p-Channel Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated on Flexible Substrates (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Asymmetric fingered polysilicon p-channel Thin Film Transistors structure for kink effect suppression (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Defect generation and evolution in laser processing of Si (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Modelling velocity saturation and kink effects in p-channel polysilicon thin-film transistors (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thermal annealing effects on the interface state density of metal-oxide-semiconductor capacitors with electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition Silicon dioxide (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Messa a punto di un processo di realizzazione di transistor a film sottile di silicio policristallino su substrati plastici (polyimide). (Risultati di valorizzazione applicativa) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1724)
- NOESIS, secondo rapporto-1°Bando DBT-FILAS 2009-2012 (Rapporti progetti di ricerca) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1714)
- Nitric Oxide Exhaled Sensor Integrated System\", NOESIS (Rapporto Tecnico Anno 2009) (Rapporti finali progetti di ricerca) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1718)
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID204560
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID204555
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID271131
- http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID271139
- Modulo
- Istituto esecutore di
- Gestore di
- GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
- Descrizione di
- Descrizione collaborazioni del modulo "Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001)" (Descrizione collaborazioni)
- Descrizione dello stato di avanzamento delle attività del modulo "Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001)" (Descrizione stato avanzamento attività)
- Descrizione del modulo "Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001)" (Descrizione modulo)