Parole chiave di "Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient"

Label

• Parole chiave di "Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient" (literal)
• Keywords of "Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient" (literal)

Insieme di parole chiave di

• Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)

Ha membro

• oxynitridation (Parola chiave)
• 4H-SiC (Parola chiave)
• n-type MOS (Parola chiave)
• interface state density (Parola chiave)
• wide band gap semiconductors (Parola chiave)

Incoming links:

Insieme di parole chiave

• Interfacial properties of SiO2 grown on 4H-SiC: comparison between N2O and Wet O2 oxidation ambient (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)

Membro di

• 4H-SiC (Parola chiave)
• interface state density (Parola chiave)
• wide band gap semiconductors (Parola chiave)
• n-type MOS (Parola chiave)
• oxynitridation (Parola chiave)