Keywords of "A study of indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE"
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- A study of indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ha membro
- low dimensional structures (Parola chiave)
- nitrides (Parola chiave)
- organometallic vapor phase epitaxy (Parola chiave)
- semiconducting III-V materials (Parola chiave)
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- nitrides (Parola chiave)
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