Parole chiave di "Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs"
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- Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- GaAs (Parola chiave)
- carbon doping (Parola chiave)
- tertiary butylarsine (Parola chiave)
- metalorganic vapor phase epitaxy (Parola chiave)
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