Parole chiave di "4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6"
- Label
- Parole chiave di "4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6" (literal)
- Keywords of "4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6" (literal)
- Insieme di parole chiave di
- 4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ha membro
- Reactor (Parola chiave)
- 4H-SiC (Parola chiave)
- Epitaxy (Parola chiave)
- 6 inch (Parola chiave)
- PE1O6 (Parola chiave)
- 150 mm substrate (Parola chiave)
- ACISWR (Parola chiave)
- Horizontal (Parola chiave)
- Trichlorosilane (Parola chiave)
- Automatic (Parola chiave)
- Hot wall (Parola chiave)
Incoming links:
- Insieme di parole chiave
- 4H-SiC epitaxial layer grown on 150 mm automatic horizontal hot wall reactor PE1O6 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Membro di
- 4H-SiC (Parola chiave)
- PE1O6 (Parola chiave)
- ACISWR (Parola chiave)
- Horizontal (Parola chiave)
- 150 mm substrate (Parola chiave)
- Trichlorosilane (Parola chiave)
- Reactor (Parola chiave)
- Automatic (Parola chiave)
- Hot wall (Parola chiave)
- 6 inch (Parola chiave)
- Epitaxy (Parola chiave)
