Keywords of "The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface"

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• Keywords of "The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface" (literal)
• Parole chiave di "The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface" (literal)

Insieme di parole chiave di

• The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)

Ha membro

• TDRC (Parola chiave)
• N implantation (Parola chiave)
• interface states (Parola chiave)
• C-V (Parola chiave)
• n-MOS capacitors (Parola chiave)

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Insieme di parole chiave

• The influence of excess nitrogen, on the electrical properties of the 4H-SiC/SiO(2) interface (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)

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