Parole chiave di "Ultrathin InAlN/GaN heterostructures on sapphire for high on/off current ratio high electron mobility transistors"

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• Parole chiave di "Ultrathin InAlN/GaN heterostructures on sapphire for high on/off current ratio high electron mobility transistors" (literal)
• Keywords of "Ultrathin InAlN/GaN heterostructures on sapphire for high on/off current ratio high electron mobility transistors" (literal)

Insieme di parole chiave di

• Ultrathin InAlN/GaN heterostructures on sapphire for high on/off current ratio high electron mobility transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)

Ha membro

• INALN/ALN/GAN HEMTS (Parola chiave)
• GROUP-III NITRIDES (Parola chiave)
• GAN (Parola chiave)
• PERFORMANCE (Parola chiave)
• LAYER (Parola chiave)

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Insieme di parole chiave

• Ultrathin InAlN/GaN heterostructures on sapphire for high on/off current ratio high electron mobility transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)

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• PERFORMANCE (Parola chiave)
• LAYER (Parola chiave)
• GAN (Parola chiave)
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• INALN/ALN/GAN HEMTS (Parola chiave)