Parole chiave di "Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation"
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- Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- DENSITY (Parola chiave)
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