Descrizione collaborazioni della commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009)"

Type
Label
  • Descrizione collaborazioni della commessa "Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009)" (literal)
Partner
  • L'attività di ricerca sarà svolta in stretta collaborazione con l'Epitaxial Technology Center (ETC) del gruppo LPE e con la Numidia S.r.l. La ETC sviluppa e commercializza reattori epitassiali per silicio ed è il terzo produttore mondiale di tali apparecchiature. Negli ultimi anni è stata avviata una notevole attività di ricerca nel campo del carburo di silicio. Nell'ambito di questa attività è stato sviluppato un primo prototipo di reattore epitassiale per il carburo di silicio in collaborazione con il CNR-IMM, il Dipartimento di Fisica dell'Università di Catania, il Politecnico di Milano e la LPE di Bollate (Mi). A fine 2009 è stata completata la realizzazione di un primo prototipo di reattore verticale per la crescita di cristalli di SiC. La Numidia S.r.l. è una società che sviluppa codici di simulazione parallela. La sua attività è stata incentrata sulla simulazione di motori a scoppio e sulle simulazioni fluidodinamiche per le automobili. Negli ultimi tempi sta diversificando la sua attività e stà sviluppando dei codici per la simulazione dei processi fluidodinamici e termodinamici all'interno dei reattori epitassiali. Con questa società si svilupperà nel prossimo triennio un sensore di pressione per applicazioni in ambito automobilistico basato sulle tecnologie di crescita del 3C-SiC sviluppate all'interno della commessa. Infine si è instaurata una intensa collaborazione con l'Università di Tampa (Florida) sullo sviluppo di nuovi processi per la crescita del 3C-SiC su Si e sulle sue applicazioni in ambito sensoristico. E' stata anche sviluppata una forte collaborazione con la Pile Growth, una start up che sta sviluppando un nuovo processo di crescita etero-epitassiale di 3C-SiC su silicio micro strutturato. I primi risultati sono molto incoraggianti e potrebbero aprire il campo a nuove applicazioni sia nell'ambito dell'elettronica di potenza, sia nell'ambito delle celle solari. (literal)
Descrizione di

Incoming links:


Descrizione
data.CNR.it