Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024)

Type
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  • Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (MD.P05.024) (literal)
Modulo
Progetto
Codice
  • MD.P05.024 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2017-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Dipartimento
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • L'attività della commessa è indirizzata allo sviluppo e caratterizzazione di materiali innovativi (ossidi ad alta costante dielettrica, ossidi di metalli di transizione, calcogenuri - sia in forma di film sottile che nanostrutturati), e alla loro integrazione in dispositivi nanoscalati con funzionalità di memoria non-volatile, memristori con funzionalità sinaptica per architetture neuromorfiche, dispositivi per applicazioni in neuroelettronica. Nel dettaglio, le attività di ricerca riguardano lo studio di materiali a film sottile e nanostrutture per dispositivi per memorie di tipo resistivo quali memorie a cambiamento di fase (PCM) e memorie basate sulla commutazione resistiva in ossidi, legata a effetti elettrotermici, chimici e ionici (ReRAM). Inoltre si studierà la commutazione resistiva in memristori con funzionalità sinaptiche per applicazioni in architetture neuromorfiche e ossidi ad alta costante dielettrica da integrare in dispositivi EOS (elettrolita-ossido-semiconduttore) e EOSFET per la stimolazione e rilevazione di segnali neuronali. Le attività citate hanno un respiro scientifico internazionale e anche un forte legame con l'industria. (literal)
Nome
  • Materiali e dispositivi nanoscalati per applicazioni in memorie non-volatili, architetture neuromorfiche e neuroelettronica (literal)
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