NUOVI DISPOSITIVI DI SILICIO OLTRE IL CMOS SCALING (MD.P05.023)

Type
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  • NUOVI DISPOSITIVI DI SILICIO OLTRE IL CMOS SCALING (MD.P05.023) (literal)
Modulo
Progetto
Codice
  • MD.P05.023 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2018-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Dipartimento
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • L'attività riguarda principalmente lo studio di meccanismi fisici di funzionamento di dispositivi innovativi di silicio per fotovoltaico, sensoristica, e nuovi materiali ed architetture per transistor MOS. In alcuni casi il loro funzionamento sarà valutato anche per quanto concerne la radiation hardness. Lo studio sarà orientato solo a specifici dispositivi quali: nuove tecnologie per celle fotovoltaiche di silicio e silicio amorfo idrogenato, con particolare attenzione all'uso di eterogiunzioni e nanostrutture di silicio; applicazioni nel campo del water splitting / elettrolisi; fotorivelatori singolo fotone di tipo Silicon Photomultiplier (ivi incluse tecniche per il miglioramento dell'efficienza quantica esterna, e applicazione a sistemi per fotoluminescenza); nuovi sensori a trasduzione elettrica oppure ottica in tecnologia planare sia per il riconoscimento di molecole biologiche (DNA, tossine, ecc.) per applicazioni biomediche e/o ambientali che per la determinazione di contaminanti nelle acque e/o nei cibi; nuovi materiali ed architetture per transistor MOS. Le attività suddette verranno effettuate da personale CNR e con l'ausilio di personale esterno. (literal)
Nome
  • NUOVI DISPOSITIVI DI SILICIO OLTRE IL CMOS SCALING (literal)
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