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				<div class="content">
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					<div class="scheda"><h1>Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)</h1>
<dl><dt>Type</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/retescientifica.owl#Commessa' class = 'external' >Commessa</a> (Classe)</li></ul></dd><dt>Label</dt><dd><ul><li>Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028) (literal)</li></ul></dd><dt>Modulo</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID9601'>Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.003)</a> (Modulo)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID5499'>Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.001)</a> (Modulo)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID8006'>Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.002)</a> (Modulo)</li></ul></dd><dt>Progetto</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/progetto/ID190'>Nanoscienze e nanotecnologie (MD.P06)</a> (Progetto)</li></ul></dd><dt>Codice</dt><dd><ul><li>MD.P06.028 (literal)</li></ul></dd><dt>Anno di chiusura previsto</dt><dd><ul><li>2018-01-01T00:00:00+01:00 (literal)</li></ul></dd><dt>Dipartimento</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/dipartimento/CDS507'>Materials & Devices</a> (Dipartimento)</li></ul></dd><dt>Istituto esecutore</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/istituto/CDS115'>Institute of nanoscience (NANO)</a> (Istituto)</li></ul></dd><dt>Primo anno di attività</dt><dd><ul><li>2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)</li></ul></dd><dt>Abstract</dt><dd><ul><li>L'attività è dedicata allo studio di nanodispositivi per fotonica  ed elettronica applicata. I diversi filoni di ricerca si basano  principalmente sulla sintesi di due differenti classi di semiconduttori composti: GaAs e composti Nitruri, e sulla sintesi di materiali dielettrici e/o piezoelettrici (ossidi e nitruri) 
L'attività GaAs-based verte su tre filoni principali di ricerca:
 Dispositivi a Quantum Dot  di InGaAs/GaAs,  (laser in-plane e VCSELs, IB solar cell) 
 Strutture a cristallo fotonico: attivi (microcavità), passivi, ed a struttura ibrida (GaAs/organico e/o nanoparticelle), 
 Micro e nanosistemi basati su rilascio di strain per sensoristica ed applicazioni MEOMS 
L'attività sui materiali large gap verte sui seguenti filoni di ricerca:
 Dispositivi ad alta velocità per elettronica di potenza (HEMT) per applicazioni spaziali
 Dispositivi RF per applicazioni sensoristiche, ad architettura BAW e FBAR e SAW
 MEMS e GaN-based detector  per applicazioni automotive e biosensoristica, basati su strutture FET e/o SAW 
 Strutture a cristallo fotonico per applicazioni in ottica non lineare
nanostrutture 3D metalliche per nanodispositivi ottici avanzati (literal)</li></ul></dd><dt>Nome</dt><dd><ul><li>Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (literal)</li></ul></dd><dt>Descrizione</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionecommessa/ID5493'>Descrizione della commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)"</a> (Descrizione commessa)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionecollaborazioni/COMMESSA-ID5493'>Descrizione collaborazioni della commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)"</a> (Descrizione collaborazioni)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-previsioneattivita/COMMESSA-ID5493'>Descrizione previsione attività della commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)"</a> (Previsione attività)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionestatoavanzamentoattivita/COMMESSA-ID5493'>Descrizione avanzamento attività della commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)"</a> (Descrizione stato avanzamento attività)</li></ul></dd><dt>Responsabile</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27512'>ADRIANA GRAZIA PASSASEO</a> (Unità di personale interno)</li></ul></dd>

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<br/><h4>Incoming links:</h4><br/><dl><dt>Responsabile di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27512'>ADRIANA GRAZIA PASSASEO</a> (Unità di personale interno)</li></ul></dd><dt>Dipartimento di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/dipartimento/CDS507'>Materials & Devices</a> (Dipartimento)</li></ul></dd><dt>Istituto esecutore di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/istituto/CDS115'>Institute of nanoscience (NANO)</a> (Istituto)</li></ul></dd><dt>Descrizione di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionestatoavanzamentoattivita/COMMESSA-ID5493'>Descrizione avanzamento attività della commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)"</a> (Descrizione stato avanzamento attività)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionecommessa/ID5493'>Descrizione della commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)"</a> (Descrizione commessa)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-descrizionecollaborazioni/COMMESSA-ID5493'>Descrizione collaborazioni della commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)"</a> (Descrizione collaborazioni)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/descrizionecommessa-previsioneattivita/COMMESSA-ID5493'>Descrizione previsione attività della commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028)"</a> (Previsione attività)</li></ul></dd><dt>In commessa</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27512-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di DOTT.SSA ADRIANA GRAZIA PASSASEO nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27561-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di DOTT. MASSIMO LONGO nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27870-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di SIG.RA STEFANIA D'AMONE nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27868-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di DOTT. DIEGO MANGIULLO nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27720-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di DOTT. ANTONIO MOCAVERO nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleInterno/MATRICOLA27520-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di SIG. CIRO URSO nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID16354-COMMESSA5493-ANNO2012'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di MASSIMO DE VITTORIO nell'anno 2012</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID16354-COMMESSA5493-ANNO2010'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di MASSIMO DE VITTORIO nell'anno 2010</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID16354-COMMESSA5493-ANNO2013'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di MASSIMO DE VITTORIO nell'anno 2013</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID22493-COMMESSA5493-ANNO2013'>http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID22493-COMMESSA5493-ANNO2013</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID21467-COMMESSA5493-ANNO2013'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di Maria Luisa DE GIORGI nell'anno 2013</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID16354-COMMESSA5493-ANNO2014'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di MASSIMO DE VITTORIO nell'anno 2014</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID9432-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di LAURA FORTUNATO nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID21467-COMMESSA5493-ANNO2014'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di Maria Luisa DE GIORGI nell'anno 2014</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID17310-COMMESSA5493-ANNO2010'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di Ferruccio Pisanello nell'anno 2010</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID16354-COMMESSA5493-ANNO2011'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di MASSIMO DE VITTORIO nell'anno 2011</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID9457-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di ANTONIO RUFFINO nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID8582-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di MASSIMO DE VITTORIO nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID9454-COMMESSA5493-ANNO2007'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di ANTONIO QUALTIERI nell'anno 2007</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID22493-COMMESSA5493-ANNO2014'>http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID22493-COMMESSA5493-ANNO2014</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID17264-COMMESSA5493-ANNO2010'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di Yingcen Guo nell'anno 2010</a></li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/personale-partecipazioneacommessa/unitaDiPersonaleEsterno/ID21467-COMMESSA5493-ANNO2012'>Partecipazione a Commessa "Nanotecnologie  applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti" (MD.P06.028) di Maria Luisa DE GIORGI nell'anno 2012</a></li></ul></dd><dt>Modulo di</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID8006'>Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.002)</a> (Modulo)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID5499'>Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.001)</a> (Modulo)</li><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/modulo/ID9601'>Nanotecnologie applicate a semiconduttori, ossidi e isolanti (MD.P06.028.003)</a> (Modulo)</li></ul></dd><dt>Commessa</dt><dd><ul><li><a href='http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/progetto/ID190'>Nanoscienze e nanotecnologie (MD.P06)</a> (Progetto)</li></ul></dd>

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				<p>Copyright &copy; 2010 <a href="http://www.cnr.it" class="lang-dyn">Italian National Research Council</a> <br/> <br/>
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