TRASPORTO IN MOS SCALATI E NUOVE STRUTTURE (MD.P05.008)

Type
Label
  • TRASPORTO IN MOS SCALATI E NUOVE STRUTTURE (MD.P05.008) (literal)
Modulo
Progetto
Codice
  • MD.P05.008 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Dipartimento
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • L'attività riguarda approcci per superare i limiti di scaling dei CMOS avanzati. Un denominatore comune è uno studio accurato dei limiti affidabilistici nei dielettrici. Gli approcci che verranno studiati sono: - Nuove architetture di memoria con funzionalità FLASH (FINFLASH) basate su FINFET e strutture cross-bar resistive switching per i nodi tecnologici oltre il 28 nm; tecniche analitiche specifiche; design delle celle; valutazione elettrica ed affidabilistica, per individuare tecniche di programmazione / cancellazione con canali ultra-corti. - Auto assemblamento di strati di co-polimeri per nanolitografia a basso costo per definire stutture di pochi nanometri; applicazioni a vari sistemi. - Memorie NROM o a nanocristalli, per lo scaling delle FLASH: affidabilità dei dielettrici di tunnel e di controllo e su nuovi dielettrici ad alto k; robustezza all'esposizione a radiazione ionizzante. - Studio dell'affidabilità di stack di gate con gate metallici e dielettrici ad alto k. Nuovi sensori in tecnologia planare per riconoscimento di molecole biologiche (DNA o tossine) in liquidi. Le attività suddette verranno effettuate da personale CNR e con l'ausilio di personale esterno. (literal)
Nome
  • TRASPORTO IN MOS SCALATI E NUOVE STRUTTURE (literal)
Descrizione
Responsabile

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