Film sottili ed elettronica degli ossidi (MD.P04.016)

Type
Label
  • Film sottili ed elettronica degli ossidi (MD.P04.016) (literal)
Modulo
Progetto
Codice
  • MD.P04.016 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Dipartimento
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • Le attività svolte nell'ambito di questa commessa hanno sfruttato le competenze e la dotazione sperimentale dell'Istituto CNR-SPIN presenti nel campo della sintesi di campioni sottili di ossidi funzionali sotto forma di film e nella caratterizzazione delle loro proprietà fisiche con diverse tecniche di indagine. La coordinazione tra i diversi gruppi partecipanti ha permesso di confrontare le proprietà di campioni prodotti con diversi metodi di crescita, nonché di gestirne lo studio delle proprietà fisiche ricorrendo a tenciche di misura complementari. L'obiettivo di medio termine dell'attività, cioè la realizzazione di dispositivi e sensori innovativi basati su eterostrutture epitassiali e sul controllo delle proprietà di interfaccia, è stato perseguito iniziando nuovi studi su alcune proprietà di interesse applicativo di ossidi manganitici come la magnetoresistenza colossale e la sensibilità allo strain epitassiale. (literal)
Nome
  • Film sottili ed elettronica degli ossidi (literal)
Descrizione
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data.CNR.it