Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni (MD.P05.003)

Type
Label
  • Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni (MD.P05.003) (literal)
Modulo
Progetto
Codice
  • MD.P05.003 (literal)
Anno di chiusura previsto
  • 2016-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Dipartimento
Istituto esecutore
Primo anno di attività
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Abstract
  • L'attività della Commessa è finalizzata allo sviluppo e studio di processi per dispositivi e componenti passivi, per applicazioni prevalentemente nel campo dell'elettronica di potenza ed RF ad alta efficienza energetica. All'interno della Commessa sono presenti competenze multidisciplinari (fisica, chimica, ingegneria, scienza dei materiali). Attualmente le tematiche di ricerca trattate sono: Sviluppo di processi tecnologici per dispositivi su semiconduttori ad ampia banda proibita quali SiC (diodi Schottky e p-n, capacitori MOS, MOSFETs, rivelatori) e GaN (Schottky, D-mode ed E-Mode HEMTs, MISHFETs, MIS); Nanotecnologie per elettronica integrata (processi e dispositivi in grafene ed altri materiali 2D, tecniche di nanocaratterizzazione tramite microscopia a scansione di sonda, attività esplorative su dispositivi nanostrutturati); Materiali multifunzionali ed innovativi (ossidi funzionali ad alta costante dielettrica, ossidi nanolaminati, nuovi dielettrici per SiC e GaN, crescita di film sottili per ALD ed MOCVD). In questi ambiti la Commessa partecipa a progetti di ricerca nazionali ed europei ed ha collaborazioni attive con i maggiori gruppi europei accademici e industriali. (literal)
Nome
  • Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni (literal)
Descrizione
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